HPP-induced germination of C. perfr

HPP-induced germination of C. perfringens spores. Spores were treated at 50 C
for 7 min with: 100 MPa (circles); 150 MPa (squares); 200 MPa (triangles); and
germination was assessed by measuring decrease in OD600 after incubating these
pressure-treated spores at 40 C for 60 min in 25 mM sodium phosphate buffer as
described in Materials and methods.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การงอกที่เกิด HPP ของ C. perfringens เพาะเฟิร์น เพาะเฟิร์นได้รับการรักษาที่ 50 Cใน 7 นาทีมี: 100 แรง (วงกลม), แรง 150 (สี่เหลี่ยม); แรง 200 (สามเหลี่ยม); และการงอกที่ประเมิน โดยการวัดการลดลงของ OD600 หลังจาก incubating เหล่านี้เพาะเฟิร์นถือว่าความดันที่ 40 C สำหรับ 60 นาทีในบัฟเฟอร์ฟอสเฟตโซเดียม 25 มม.เป็นอธิบายไว้ในวัสดุและวิธีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

งอก HPP ที่เกิดซีสปอร์ perfringens สปอร์ได้รับการรักษาที่ 50
องศาเซลเซียสเป็นเวลา7 นาที: 100 MPa (วงกลม); 150 MPa (สี่เหลี่ยม); 200 MPa (สามเหลี่ยม); และงอกได้รับการประเมินโดยการวัดการลดลงของ OD600 หลังจากฟักเหล่านี้สปอร์แรงดันรับการรักษาที่40 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 60 นาทีใน 25 มิลลิโซเดียมฟอสเฟตบัฟเฟอร์เป็นที่อธิบายไว้ในวัสดุและวิธีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระตุ้นการงอกของเอชพี C . perfringens สปอร์ สปอร์ได้ปฏิบัติที่ 50 C
7 นาที 100 MPa ( วงกลม ) ; 150 MPa ( สี่เหลี่ยม ) ; 200 MPa ( สามเหลี่ยม ) ; และถูกประเมินโดยการวัด
ความงอกลดลงหลังจากการแช่ od600 เหล่านี้
แรงกดดันถือว่าสปอร์ที่ 40 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 60 นาที 25 มิลลิโมลาร์ฟอสเฟตบัฟเฟอร์เป็น
อธิบายในวัสดุ
และวิธีการ