Therefore, to minimize the bending

Therefore, to minimize the bending of the dsDNA and complete the hybridization, we used a 1:10 ratio of the anchoring-to-recognition sequence. As shown in Fig. 2A, after hybridization with rDNA, 5-fold enhancements compared to untreated GaAs were obtained on the GaAs with modification of aDNA (20 mer) and subsequently hybridization with rDNA (20 mer). The enhanced PL emission could be attributed to the structural transformation of flexible single-stranded structure to rigid rod-like duplex, resulting in a different electronic passivation of the GaAs surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังนั้น การลดการดัดงอการ dsDNA และทำการ hybridization เราใช้ 1:10 อัตราส่วนของลำดับการพื้น ๆ ดังแสดงในรูปที่ 2A หลัง hybridization กับ rDNA ได้รับเมื่อเทียบกับ GaAs ที่ไม่ผ่านการปรับปรุง 5-fold บน GaAs ด้วยปรับเปลี่ยนแอดนา (20 mer) และต่อมา hybridization กับ rDNA (20 mer) การปล่อย PL เพิ่มขึ้นสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างของโครงสร้างเดียวที่ควั่นยืดหยุ่นแข็งคันเหมือนดูเพล็กซ์ ในทู่อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกันของพื้นผิว GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นเพื่อลดความโค้งงอของ dsDNA และเสร็จสิ้นการผสมพันธุ์เราใช้อัตราส่วน 1:10 ลำดับทอดสมอต่อการรับรู้ ดังแสดงในรูป 2A หลังจากผสมพันธุ์กับ rDNA ปรับปรุง 5 เท่าเมื่อเทียบกับ GaAs ได้รับการรักษาที่ได้รับใน GaAs ที่มีการปรับเปลี่ยนของ ADNA (20 Mer) และต่อมาผสมพันธุ์กับ rDNA (20 Mer) การปล่อย PL ที่เพิ่มขึ้นสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างของโครงสร้างเดียวควั่นความยืดหยุ่นในการเข้มงวดเพล็กซ์ก้านเหมือนที่เกิดในทู่อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกันของพื้นผิว GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้นเพื่อลดการโค้งงอของ dsdna และสมบูรณ์ ( เราใช้อัตราส่วน 1 : 10 ของโลกตามลำดับตัวอักษร ดังแสดงในรูปที่ 2A , หลังจากทำ rDNA กับผู้อื่นและได้รับการปรับปรุงนี้บน GaAs ด้วยการแอ็ดน่า ( 20 แมร์ ) และต่อมาทำ rDNA ( 20 เมอร์ ) คุณสามารถปรับปรุงการบันทึกการเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างยืดหยุ่นเดียวควั่นโครงสร้างเหล็กแข็งเหมือนเพล็กซ์ ส่งผลให้รุ้งของ GaAs อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกัน พื้นผิว