These results strongly suggest that

These results strongly suggest that the Jsc of PbS/CdS q-dot solar cells can be increased by varying the thickness of the CdS layer on a same thick PbS layer. Hence, it can be suggested that the enhance in Jsc of PbS/CdS solar cell after coating of CdS on PbS is not due to light harvesting effect. The different role played by the CdS layer in PbS/CdS design could be that it can function as a passivation layer in minimizing the surface defects in PbS q-dots. For the verification of surface passivation properties of CdS on PbS surface, we performed photovoltage decay measurements and electrochemical impedance spectroscopy measurements of PbS/CdS photoanode with different thicknesses of PbS and CdS.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลลัพธ์เหล่านี้ขอแนะนำว่า เซลล์แสงอาทิตย์ของจุด q Jsc ของ PbS/ซี ดีจะเพิ่มขึ้นตามความหนาของชั้นดีบนเดียวกันหนา PbS ด้วยเหตุนี้ มันสามารถจะแนะนำว่า เพิ่มในเซลล์แสงอาทิตย์ Jsc ของ PbS/ซี ดีหลังจากเคลือบของ Cd ใน PbS ไม่ได้อยู่เนื่องจากแสงที่เก็บเกี่ยวผล บทบาทแตกต่างชั้นดีใน PbS/ซี ดีอาจเป็นการที่มันสามารถทำงานเป็นเลเยอร์ฟิล์มในการลดข้อบกพร่องที่พื้นผิวใน PbS q-จุด สำหรับการตรวจสอบคุณสมบัติฟิล์มพื้นผิวของซีดีบน PbS surface เราทำ photovoltage ผุวัดและวัดความต้านทานไฟฟ้าของ PbS/ซี ดี photoanode มิก มีความหนาแตกต่างกันของ PbS และซีดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลลัพธ์เหล่านี้ขอแนะนำว่า Jsc พีบีเอสซีดี / Q-dot เซลล์แสงอาทิตย์สามารถเพิ่มขึ้นโดยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นซีดีบนชั้นหนาเดียวกันพีบีเอส ดังนั้นจึงสามารถชี้ให้เห็นว่าเพิ่มประสิทธิภาพใน Jsc พีบีเอสซีดี / เซลล์แสงอาทิตย์หลังจากเคลือบซีดีพีบีเอสไม่ได้เกิดจากผลเก็บเกี่ยวแสง บทบาทที่แตกต่างกันเล่นโดยชั้นซีดีพีบีเอสออกแบบซีดี / อาจเป็นได้ว่ามันสามารถทำหน้าที่เป็นชั้นฟิล์มในการลดข้อบกพร่องที่พื้นผิวในพีบีเอส Q-จุด สำหรับการตรวจสอบคุณสมบัติของพื้นผิวของแผ่นซีดีฟิล์มบนพื้นผิวพีบีเอสที่เราดำเนินการ photovoltage วัดผุและไฟฟ้าการวัดความต้านทานสเปกโทรสโกพีบีเอสซีดี / photoanode ที่มีความหนาแตกต่างกันของพีบีเอสและซีดี