normal and transverse straggle for

normal and transverse straggle for the ion implantation of boron, phosphorus, arsenic, and antimony impurities for a given acceleration energy.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรี่ยราดปกติและตามขวางเพื่อไอออนของสิ่งสกปรกโบรอนฟอสฟอรัสสารหนูและพลวงพลังงานเร่งให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปกติและขวางที่ straggle สำหรับฤทธิ์ไอออนของโบรอน ฟอสฟอรัส สารหนู พลวง และสิ่งสกปรกสำหรับพลังงานเร่งกำหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ล้าหลังตามปกติและตั้งอยู่คนละข้างสำหรับปลูกไอออนที่ของโบรอนฟอสฟอรัสสารหนูพลวงและสิ่งสกปรกเพื่อการประหยัดพลังงานการเร่งความเร็วให้ได้.