Fig. 5 Alignment of nanomaterials i

Fig. 5 Alignment of nanomaterials in BBFs. (a) Illustration of the
bubble solution passing over the edge of the die at a speed of Ufluid during
the expansion process. (b) Illustration of the migration of nanomaterials
in the bubble film toward the outer wall of the bubble. (c) Cross-sectional
SEM image of a SiNW-BBF showing three aligned NWs sitting close to
the bottom of the film. Scale bar: 500 nm. (d) Cross-sectional TEM image
showing that most of the NWs are located at the bottom of the film, thus
near the substrate. Scale bar: 100 nm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 5 ตำแหน่งของ nanomaterials ใน BBFs (a) ภาพประกอบโซลูชันฟองผ่านขอบของตายที่ความเร็วของ Ufluid ในระหว่างการขยายตัว (ข) ภาพของการโยกย้ายของ nanomaterialsในฟิล์มฟองต่อผนังภายนอกของฟอง (ค) เหลวรูป SEM เป็น SiNW-เบดแสดงสามชิด NWs นั่งใกล้ด้านล่างของฟิล์ม แถบมาตราส่วน: 500 nm (d) รูปภาพเหลวยการแสดงว่า ส่วนใหญ่ของ NWs อยู่ที่ด้านล่างของฟิล์ม ดังใกล้กับพื้นผิว แถบมาตราส่วน: 100 nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 5 การจัดตำแหน่งของวัสดุนาโนใน BBFs (ก) ภาพประกอบของ
การแก้ปัญหาฟองผ่านขอบของตายที่ความเร็ว Ufluid ในระหว่าง
ขั้นตอนการขยายตัว (ข) การแสดงภาพของการอพยพของวัสดุนาโน
ในภาพยนตร์ฟองต่อผนังด้านนอกของฟอง (ค) การตัด
ภาพ SEM ของ SiNW-ลัดฟ้าแสดง NWS ชิดสามนั่งอยู่ใกล้กับ
ด้านล่างของภาพยนตร์เรื่องนี้ บาร์ขนาด 500 นาโนเมตร (ง) ภาพ TEM ตัดขวาง
แสดงให้เห็นว่าส่วนใหญ่ของ NWS จะอยู่ที่ด้านล่างของภาพยนตร์เรื่องนี้จึง
ใกล้พื้นผิว บาร์ขนาด 100 นาโนเมตร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 5 การ nanomaterials ในต่างพากัน . ( ก ) ภาพประกอบ
ฟองโซลูชั่นผ่านขอบของแม่พิมพ์ที่ความเร็ว ufluid ในระหว่าง
กระบวนการของการ ( ข ) ภาพประกอบของการย้ายถิ่นของ nanomaterials
ในฟิล์มฟองต่อผนังด้านนอกของฟอง ( c ) ข้ามภาพ SEM ตัด
ของ sinw BBF แสดงสามชิด NWS นั่งอยู่ใกล้กับ
ฐานของภาพยนตร์ บาร์ค่า500 นาโนเมตร ( D ) ภาพตัดขวางแบบ
แสดงให้เห็นว่าส่วนใหญ่ของ NWS จะอยู่ที่ด้านล่างของฟิล์มจึง
ใกล้พื้นผิว บาร์ขนาด 100 นาโนเมตร