This paper is organized as follows:

This paper is organized as follows: In Section II,
feasibility of on-line power device temperature extraction
methods is overviewed. Then, a new P-i-N diode chip
temperature extraction method is proposed in Section III. In
Section IV, the principle of reverse recovery current of the
power diodes with non-ideal IGBT commutation is
investigated, and the experimental results are illustrated to
demonstrate the proposed method in Section V. At last,
Section VI summarizes the conclusions drawn from the
above investigation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอกสารนี้มีการจัดระเบียบดังนี้: ในส่วน IIความเป็นไปได้ของพลังงานง่ายดายอุปกรณ์อุณหภูมิแยกoverviewed วิธีการ แล้ว ใหม่ P-i-N ไดโอดปซึ่งมีเสนอวิธีสกัดอุณหภูมิในส่วน III ในส่วน IV กู้คืนย้อนกระแสหลักเพาเวอร์ไดโอดได้ ด้วยเดิน IGBT ไม่เหมาะเป็นตรวจสอบ และมีแสดงผลการทดลองแสดงให้เห็นถึงวิธีการนำเสนอในส่วน V ในที่สุดส่วน VI สรุปสรุปออกจากการบริการตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระดาษนี้จะมีการจัดระเบียบดังต่อไปนี้ในส่วนที่สองเป็นไปได้ของอุปกรณ์ที่ใช้กำลังในบรรทัดอุณหภูมิสกัดวิธีคือoverviewed จากนั้นชิปไดโอด PIN ใหม่วิธีการสกัดที่อุณหภูมิมีการเสนอในส่วนที่สาม ในมาตรา IV หลักการของการกู้คืนกลับปัจจุบันของไดโอดไฟฟ้าที่มีการแลกเปลี่ยนIGBT ที่ไม่เหมาะคือการตรวจสอบและผลการทดลองที่มีการแสดงที่จะแสดงให้เห็นถึงวิธีการที่นำเสนอในมาตราโวลต์ที่ล่าสุดมาตราVI สรุปข้อสรุปที่ดึงออกมาจากด้านบนตรวจสอบ.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระดาษนี้จะจัดดังนี้ ในส่วนที่ ii
ความเป็นไปได้ของวิธีการออนไลน์อุปกรณ์พลังงานอุณหภูมิการสกัด
เป็น overviewed . งั้น , ใหม่ p-i-n ไดโอดชิป
อุณหภูมิด้วยวิธีการนำเสนอในส่วนที่ III ใน
ส่วน IV , หลักการย้อนกลับกู้ปัจจุบันของ
พลังไม่เหมาะเปลี่ยนเป็นไดโอด IGBT
สอบสวนและผล

เป็นภาพประกอบแสดงให้เห็นถึงวิธีที่เสนอในส่วน V . ในที่สุด ส่วน 6

สรุปข้อสรุปที่ได้จากข้างบนครับ