We demonstrate that the single-laye

We demonstrate that the single-layer graphene film can be directly grown on semiconductor SiGe substrate by using ambient pressure chemical vapor deposition. It is apparent that SiGe has a very strong catalytic ability for direct fabrication of high-quality graphene film. In comparison with various transition metal-based catalysts, this strategy can utilize the standard equipment available in semiconductor technology which is of maturity and is scalable. The crystallinity and thickness were investigated using Raman spectroscopy, scanning tunneling microscopy and transmission electron microscopy. The field-effect transistors were fabricated and characterized to determine the electrical properties of the synthesized graphene film. Moreover, this formation method of graphene-on-SiGe junction enables us to fabricate electronic devices based on this structure in microelectronics and optoelectronics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราแสดงให้เห็นว่า ฟิล์ม graphene ชั้นเดียวสามารถถูกตรงปลูกบนพื้นผิว SiGe สารกึ่งตัวนำ โดยใช้ความดันที่สภาวะไอสารเคมีสะสม ชัดเจนว่า SiGe มีความสามารถในตัวเร่งปฏิกิริยาแรงมากสำหรับผลิตโดยตรงคุณภาพ graphene ฟิล์มได้ เมื่อเปรียบเทียบกับต่าง ๆ โลหะทรานซิชันตามสิ่งที่ส่งเสริม กลยุทธ์นี้สามารถใช้อุปกรณ์มาตรฐานที่มีอยู่ในเทคโนโลยีสารกึ่งตัวนำซึ่งเป็นวันครบกำหนด และสามารถปรับ Crystallinity และความหนาตรวจสอบใช้รามันก การสแกน microscopy ลแบบ tunneling และส่งอิเล็กตรอน microscopy ฟิลด์–ผล transistors ได้หลังสร้าง และลักษณะการกำหนดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม graphene สังเคราะห์ นอกจากนี้ วิธีการเชื่อมต่อ graphene บน SiGe ก่อตัวนี้ช่วยให้เราสามารถประดิษฐ์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตามโครงสร้างนี้ในไมโครอิเล็กทรอนิกส์และใยแก้วนำแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราแสดงให้เห็นว่าฟิล์มกราฟีนชั้นเดียวสามารถปลูกได้โดยตรงบนพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำ SiGe โดยใช้ความดันบรรยากาศไอสารเคมีสะสม มันเห็นได้ชัดว่า SiGe มีความสามารถในการเร่งปฏิกิริยาที่ดีมากสำหรับการผลิตโดยตรงของฟิล์มกราฟีนที่มีคุณภาพสูง เมื่อเทียบกับตัวเร่งปฏิกิริยาโลหะตามการเปลี่ยนแปลงต่างๆกลยุทธ์นี้สามารถใช้ประโยชน์จากอุปกรณ์มาตรฐานที่มีอยู่ในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งเป็นของการกำหนดและปรับขนาดได้ ผลึกและความหนาถูกตรวจสอบโดยใช้ Raman spectroscopy, กล้องจุลทรรศน์อุโมงค์และการส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ทรานซิสเตอร์สนามผลกระทบได้รับการประดิษฐ์และโดดเด่นในการตรวจสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าของฟิล์มกราฟีนสังเคราะห์ นอกจากนี้วิธีการก่อตัวของกราฟีน-on-SiGe ชุมช่วยให้เราสามารถสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่อยู่บนพื้นฐานของโครงสร้างในไมโครอิเล็กทรอนิกส์และใยแก้วนำแสงนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราแสดงให้เห็นว่า กราฟีน ชั้นเดียวฟิล์มได้โดยตรงที่ปลูกบนแผ่นสารกึ่งตัวนำโดยใช้แรงดันอากาศ SiGe chemical vapor deposition . มันแจ้งว่ามีความสามารถในการเร่งปฏิกิริยา SiGe แข็งแกร่งมากสำหรับการผลิตโดยตรงของฟิล์มกราฟีนคุณภาพสูง ในการเปรียบเทียบกับการใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาโลหะต่าง ๆ ,กลยุทธ์นี้สามารถใช้อุปกรณ์มาตรฐานที่มีอยู่ในสารกึ่งตัวนำเทคโนโลยีซึ่งมีวุฒิภาวะ และด้านเทคนิค ผลึกและความหนาทำการศึกษาโดยใช้กล้องจุลทรรศน์ และรามานสเปกโทรสโกปี สแกนส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนทันเนล .การ field-effect ทรานซิสเตอร์ถูกประดิษฐ์และลักษณะการตรวจสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้าของกราฟีนที่สังเคราะห์ฟิล์ม นอกจากนี้การสร้างวิธีการของกราฟีนที่ช่วยให้เราสามารถสร้าง SiGe แยกตามโครงสร้างนี้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และเทคโนโลยีออปโตอิเล็กทรอนิกส์ .