ResultsFigure 2a shows the SERS bas

Results
Figure 2a shows the SERS based response of the inkjet printed substrate towards HgS. The Raman
spectra obtained from the test analytes on the bare Si wafer are overlain with the spectra obtained from
the test analytes on the Ag nanoparticle coated Si wafer. Similarly, the spectra for CdS and ZnO are
shown in Fig. 2b and Fig. 2c, respectively. Characteristic Raman peaks for HgS, CdS and ZnO were
observed at 249.13 cm-1, 299.41 cm-1and 415.25 cm-1, respectively and for that of Ag nanoparticles were
observed at 918.49 cm-1and 1391.18 cm-1. The SERS based response of the printed sensor revealed an
enhanced Raman effect by an amplification factor of 5, 3 and 4 for HgS, CdS and ZnO, respectively
immobilized on Ag nanoparticle printed substrate when compared to that of HgS, CdS and ZnO
immobilized on bare Si wafer.
Raman Spectroscopy is based on the elastic and inelastic scattering of the photons in the target
molecules. Depending upon the nature of the target molecules, each photon undergoes different levels of
scattering, thus facilitating the differentiation between each species. The amplification of the Raman
effect can be attributed to a change in frequency due to the enhancement of the electromagnetic field at
hotspots, which is the area between two neighbouring nano-particles [15]. This enhancement of the
electromagnetic field is facilitated because of the embedding of target molecules between adjacent
nanoparticles.
(a) (b)
(c)
Fig. 2. (a) Comparison of the Raman spectrum of HgS on Ag nanoparticle printed substrate vs. HgS on bare Si wafer; (b)
Comparison of the Raman spectrum of CdS on the Ag nanoparticle printed substrate vs. CdS on bare Si wafer; (c) Comparison of
the Raman spectrum of ZnO on Ag nanoparticle printed substrate vs. ZnO on bare Si wafer. The spectra were obtained using 785
nm excitation with an integration time of 1 second at 300 mW

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลลัพธ์รูปที่ 2a แสดงแคมป์ส์อีลีสซีใช้การตอบสนองของเครื่องพิมพ์อิงค์เจ็ตพิมพ์พื้นต่อ HgS ราการสเปกตรัมที่ได้จากการวิเคราะห์ทดสอบบนเวเฟอร์ซีเปลือยมี overlain กับสเป็คที่ได้รับจากวิเคราะห์ทดสอบบน nanoparticle สูง Ag เคลือบศรีเวเฟอร์ ในทำนองเดียวกัน มีมุมสำหรับซีดีและ ZnOแสดงในรูป 2b และ c 2 รูป ตามลำดับ มีลักษณะรายอด HgS ซีดี และ ZnOข้อสังเกตที่ 249.13 ซม.-1, 299.41 1and ซม. 415.25 ซม. 1 ตามลำดับ และที่เก็บกัก Ag ได้ข้อสังเกตที่ 918.49 1and ซม. 1391.18 ซม.-1 แคมป์ส์อีลีสซีที่ใช้ตอบสนองของเซนเซอร์พิมพ์เปิดเผยตัวเพิ่มผลรา โดยปัจจัยการขยาย 5, 3 และ 4 สำหรับ HgS ซีดี และ ZnO ตามลำดับตรึงใน Ag nanoparticle สูงพิมพ์พื้นผิวเมื่อเทียบกับที่ HgS ซีดี และ ZnOตรึงบนเวเฟอร์เปลือยศรีรามิกตามยืดหยุ่นและ inelastic scattering ของโฟตอนในเป้าหมายโมเลกุล ขึ้นอยู่กับลักษณะของโมเลกุลเป้าหมาย แต่ละโฟตอนผ่านระดับที่แตกต่างโปรย จึงยิ่งสร้างความแตกต่างระหว่างแต่ละสายพันธุ์ การขยายสัญญาณรามันผลอาจเป็นเพราะการเปลี่ยนแปลงความถี่เนื่องจากของสนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่ฮอตสปอ ซึ่งเป็นพื้นที่ระหว่างสองเพื่อนบ้านนาโน [15] การเพิ่มประสิทธิภาพของการสนามแม่เหล็กไฟฟ้ามีความสะดวกเนื่องจากฝังโมเลกุลเป้าหมายระหว่างติดเก็บกัก(ก) (ข) (c)รูป 2 (ก) เปรียบเทียบสเปกตรัมรา HgS บน nanoparticle สูง Ag พิมพ์พื้นเจอ HgS บนแผ่นเวเฟอร์ซิเปลือย (b)เปรียบเทียบสเปกตรัมราซีดีบน nanoparticle สูง Ag พิมพ์พื้นเจอซีดีบนแผ่นเวเฟอร์ซิเปลือย (ค) เปรียบเทียบสเปกตรัมราของ ZnO ใน Ag nanoparticle สูงพิมพ์พื้นเทียบกับ ZnO บนเวเฟอร์เปลือยศรี มุมได้รับมาใช้ 785รุ่น nm ด้วยเวลารวมเป็น 1 วินาที 300 mW

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลรูปที่ 2a แสดงให้เห็นถึงการตอบสนอง SERS ตามพื้นผิวของอิงค์เจ็ทพิมพ์ต่อ HGS รามันสเปกตรัมที่ได้รับจากการทดสอบวิเคราะห์บนเวเฟอร์ศรีเปลือยทับกับสเปกตรัมที่ได้รับจากวิเคราะห์ทดสอบในอนุภาคนาโนAg เคลือบเวเฟอร์ศรี ในทำนองเดียวกันสเปกตรัมสำหรับแผ่นซีดีและซิงค์ออกไซด์ที่มีการแสดงในรูป และรูปที่ 2b 2c ตามลำดับ ยอดรามันลักษณะ HGS ซีดีและซิงค์ออกไซด์ที่ถูกตั้งข้อสังเกตที่249.13 ซม 1, 299.41 เซนติเมตร 415.25 ซม. 1 และ 1 ตามลำดับและการที่อนุภาคนาโน Ag ถูกตั้งข้อสังเกตที่918.49 ซม ​​1 และ 1,391.18 ซม-1 การตอบสนองตาม SERS ของเซ็นเซอร์พิมพ์เปิดเผยผลรามันเพิ่มขึ้นตามปัจจัยการขยายของ5, 3 และ 4 สำหรับ HGS ซีดีและซิงค์ออกไซด์ตามลำดับตรึงบนAg อนุภาคนาโนพิมพ์พื้นผิวเมื่อเทียบกับที่ของ HGS ซีดีและ ZnO ตรึงบนเปลือย เวเฟอร์ศรี. รามันสเปกจะขึ้นอยู่กับการกระเจิงยืดหยุ่นและไม่ยืดหยุ่นของโฟตอนในเป้าหมายโมเลกุล ขึ้นอยู่กับลักษณะของโมเลกุลเป้าหมายโฟตอนแต่ละผ่านระดับที่แตกต่างของการกระเจิงจึงอำนวยความสะดวกแตกต่างระหว่างแต่ละชนิด การขยายของรามันที่ผลสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงในความถี่เนื่องจากการเพิ่มประสิทธิภาพของสนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่ฮอตสปอตซึ่งเป็นพื้นที่ระหว่างสองอนุภาคนาโนที่อยู่ใกล้เคียง[15] การเพิ่มประสิทธิภาพของนี้สนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่จะอำนวยความสะดวกเพราะการฝังตัวของโมเลกุลเป้าหมายที่อยู่ติดกันระหว่างอนุภาคนาโน. (ก) (ข) (ค) รูป 2. (ก) การเปรียบเทียบสเปกตรัมรามันของ HGS ใน Ag อนุภาคนาโนพิมพ์พื้นผิวกับ HGS ในเวเฟอร์ศรีเปลือย; (ข) การเปรียบเทียบสเปกตรัมรามันซีดีบนพื้นผิวอนุภาคนาโนพิมพ์ Ag เทียบกับในซีดีแผ่นเวเฟอร์ศรีเปลือย; (ค) การเปรียบเทียบสเปกตรัมรามันของซิงค์ออกไซด์ในAg พิมพ์อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์กับพื้นผิวบนแผ่นเวเฟอร์ศรีเปลือย สเปกตรัมที่ได้รับใช้ 785 กระตุ้นนาโนเมตรที่มีการรวมกลุ่มของเวลา 1 วินาทีที่ 300 mW

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลลัพธ์รูปที่ 2A แสดง sers ตามการตอบสนองของอิงค์เจ็ตพิมพ์สเตรทต่อ HGS . รามันสเปกตรัมที่ได้จากการทดสอบสารบนเวเฟอร์ ชีเปลือยเป็นสเปกตรัมที่ได้จากกับการทดสอบสารในอนุภาคนาโนเคลือบ AG ศรีเวเฟอร์ ส่วนนี้สำหรับ ซีดี และ ซิงค์ออกไซด์คือแสดงในรูปที่ 2 และรูปที่ 2B ) ลักษณะยอดรามันสำหรับ HGS ซีดี และซิงค์ออกไซด์คือสังเกตที่ 249.13 cm-1 299.41 cm-1and , 415.25 cm-1 ตามลำดับ และที่ของอนุภาคเงินขนาดนาโนคือสังเกตที่ 918.49 cm-1and 1391.18 cm-1 . การ sers ตามการตอบสนองของพิมพ์เซ็นเซอร์เปิดเผยเพิ่มผลของรามัน โดยการเพิ่มปัจจัย 5 , 3 และ 4 สำหรับ HGS ซีดี และซิงค์ออกไซด์ ตามลำดับที่ตรึงบนวัสดุพิมพ์เอจีสำหรับ เมื่อเทียบกับที่ของ HGS ซีดี และ ซิงค์ออกไซด์ที่ตรึงบนเวเฟอร์ชีเปลือยรามานสเปกโทรสโกปีแบบยืดหยุ่นและไม่ยืดหยุ่นตามการกระจายของโฟตอนในเป้าหมายโมเลกุล ขึ้นอยู่กับลักษณะของเป้าหมายโมเลกุลแต่ละโฟตอน ผ่านระดับต่างๆการกระจาย ดังนั้นความแตกต่างระหว่างแต่ละชนิด การเพิ่มปริมาณของรามันEffect สามารถสามารถเกิดจากการเปลี่ยนแปลงความถี่เนื่องจากการเพิ่มประสิทธิภาพของสนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่จุด ซึ่งเป็นบริเวณระหว่างสองเพื่อนบ้านในอนุภาคนาโน [ 15 ] นี้การเพิ่มประสิทธิภาพของสนามแม่เหล็กไฟฟ้าคือความสะดวก เพราะการฝังของโมเลกุลเป้าหมายระหว่างที่อยู่ติดกันอนุภาค( ก ) ( ข )( C )รูปที่ 2 ( ก ) การเปรียบเทียบสเปกตรัมรามัน HGS ในเอจีสำหรับพิมพ์บนแผ่นเวเฟอร์กับ HGS ชีเปลือย ; ( b )การเปรียบเทียบสเปกตรัมรามันซีดีบนพื้นผิวสำหรับ AG พิมพ์บนแผ่นซีดีกับเวเฟอร์ ซี ( C ) การเปลือยรามันสเปกตรัมของ ZnO ในเอจีสำหรับพิมพ์แผ่นและซิงค์ออกไซด์บนเวเฟอร์ชีเปลือย นี้ได้ใช้ 785nm และที่มีการบูรณาการเวลา 1 วินาทีที่ 300 เมกะวัตต์