3. ANALYSIS OF THE VCCS To determin

3. ANALYSIS OF THE VCCS To determine the transconductance G of the VCCS the transistor-level circuit structure shown in Figure 3 is analyzed symbolically. In order to limit the complexity of the symbolic calculations the bias voltages of the current banks are modeled by independent voltage sources, while current mirrors are replaced by current-controlled current sources. If, in comparison with a numerical simulation, the error in the numerically evaluated symbolic analysis

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. วิเคราะห์ของเดอะ VCCS การกำหนดวิเคราะห์ transconductance G VCCS โครงสร้างวงจรทรานซิสเตอร์ระดับแสดงในรูปที่ 3 แสดงวงจร เพื่อจำกัดความซับซ้อนของการคำนวณสัญลักษณ์ แรงดันตั้งธนาคารปัจจุบันมีจำลอง โดยแหล่งแรงดันอิสระ ในขณะที่กระจกปัจจุบันจะถูกแทนที่ โดยควบคุมปัจจุบันแหล่งปัจจุบัน ถ้า เมื่อเปรียบเทียบกับแบบจำลอง ข้อผิดพลาดในการวิเคราะห์สัญลักษณ์ค่าเรียงตามตัวเลข

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. การวิเคราะห์ของ VCCS ต้องการกำหนด transconductance G ของ VCCS โครงสร้างวงจรทรานซิสเตอร์ระดับที่แสดงในรูปที่ 3 มีการวิเคราะห์สัญลักษณ์ เพื่อที่จะ จำกัด การความซับซ้อนของการคำนวณสัญลักษณ์แรงดันไฟฟ้าอคติของธนาคารในปัจจุบันที่มีการสร้างแบบจำลองโดยแหล่งที่มาของแรงดันไฟฟ้าที่เป็นอิสระในขณะที่กระจกในปัจจุบันจะถูกแทนที่ด้วยปัจจุบันมีการควบคุมแหล่งที่มาในปัจจุบัน ถ้าเปรียบเทียบกับการจำลองเชิงตัวเลขข้อผิดพลาดในการวิเคราะห์การประเมินตัวเลขสัญลักษณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . การวิเคราะห์ vccs หาทราน คอนดักแตนซ์กรัมของ vccs ระดับวงจรทรานซิสเตอร์ โครงสร้างที่แสดงในรูปที่ 3 จะใช้สัญลักษณ์ . เพื่อที่จะ จำกัด ความซับซ้อนของการคำนวณเชิงสัญลักษณ์ที่มีอคติของธนาคารปัจจุบันมีแบบแหล่งแรงดัน อิสระ ในขณะที่กระจกในปัจจุบัน จะถูกแทนที่ด้วยปัจจุบันกระแสควบคุมแหล่งที่มา ถ้าในการเปรียบเทียบกับการจำลองเชิงตัวเลข , ข้อผิดพลาดในการวิเคราะห์เชิงตัวเลขและเชิงสัญลักษณ์