High temperature rectifying behavio

High temperature rectifying behavior was observed from the current–voltage (I–V) characteristics of the N-Al:ZnO/n-Si heterojunctions at forward bias voltages.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แก้ไขลักษณะการทำงานอุณหภูมิสูงพบว่า จากลักษณะปัจจุบัน – (I – V) แรงดันของ N-อัล: ZnO / n-ซี heterojunctions ที่ส่งแรงดัน bias

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พฤติกรรมการกลั่นที่อุณหภูมิสูงเป็นที่สังเกตจากปัจจุบันที่แรงดันไฟฟ้า (I-V) ลักษณะของ N-อัล heterojunctions ZnO / N-Si ที่ลำเอียงไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิสูงการแก้ไขพฤติกรรมที่สังเกตได้จากแรงดัน–ปัจจุบัน ( ผม ) V ) ลักษณะของ n-al : ZnO / n-si heterojunctions ที่ไปข้างหน้าอคตินั้น