The resistance of the PTC thermisto

The resistance of the PTC thermistor is composed of the grain resistance and the grain boundary transition resistance. Particularly in the hot state, the strong potential barriers are determining resistance. Higher voltages applied to the PTC thermistor therefore drop primarily at the grain boundaries with the result that the high field strengths dominating here produce a break-up of the potential barriers and thus a lower resistance. The stronger the potential barriers are, the greater is the influence of this "varistor effect" on resistance. Below the reference temperature, where the junctions are not so marked, most of the applied voltage is absorbed by the grain resistance. Thus the field strength at the grain boundaries decreases and the varistor effect is quite weak.
Fig 3 shows the typical dependence of resistance on field strength. It can be seen that the difference in resistance is largest between R(E1), R(E2) and R(E3) at temperature Tmax and thus in the region of maximum resistance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความต้านทานของเทอร์มิสเตอร์ PTC จะประกอบด้วยความต้านทานเมล็ดข้าวและเมล็ดข้าวเขตแดนต้านทานการเปลี่ยนแปลง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสภาพร้อนอุปสรรคที่มีศักยภาพที่แข็งแกร่งมีการกำหนดความต้านทานแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่านำไปประยุกต์ใช้เทอร์มิสเตอร์ PTC จึงวางหลักที่ข้าวเขตแดนกับผลลัพธ์ที่จุดแข็งด้านสูงมีอำนาจเหนือที่นี่ผลิตการแบ่งขึ้นของอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นและทำให้ต้านทานต่ำ แข็งแรงอุปสรรคที่มีศักยภาพมากขึ้นคืออิทธิพลของนี้ "ผลวาริสเตอร์" ความต้านทาน ด้านล่างอุณหภูมิอ้างอิง,ที่แยกไม่ได้ทำเครื่องหมายเพื่อให้ส่วนใหญ่ของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้จะดูดซึมโดยเม็ดต้านทาน ดังนั้นความแรงของสนามที่ข้าวเขตแดนลดลงและผลกระทบวาริสเตอร์อ่อนแอค่อนข้าง.
มะเดื่อ 3 แสดงให้เห็นถึงการพึ่งพาอาศัยกันตามแบบฉบับของความต้านทานเมื่อความแรงของสนาม มันจะเห็นได้ว่าแตกต่างในความต้านทานที่ใหญ่ที่สุดระหว่าง r (E1)r (E2) และ R (E3) ที่อุณหภูมิ tmax และทำให้ในภูมิภาคของความต้านทานสูงสุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประกอบด้วยความต้านทานของ PTC thermistor ต้านทานเมล็ดข้าวและเมล็ดข้าวขอบเปลี่ยนความต้านทาน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในรัฐร้อน อุปสรรคมีศักยภาพแข็งแกร่งกำลังพิจารณาความต้านทาน แรงดันสูงที่ใช้กับ PTC thermistor จึงวางหลักที่ขอบเม็ดมีผลว่า ฟิลด์สูงจุดแข็งอำนาจเหนือนี่ผลิตขึ้นแบ่งของอุปสรรคอาจเกิดขึ้น และความต้านทานต่ำ แข็งแกร่งที่อุปสรรคอาจเกิดขึ้นได้ ยิ่งมีอิทธิพลนี้ "วาริสเตอร์ผล" บนความต้านทาน ต่ำกว่าอุณหภูมิอ้างอิง junctions จะไม่ให้เครื่อง ส่วนใหญ่ใช้แรงดันไฟฟ้าจะดูดซึม โดยต้านทานข้าว ดังนั้น การลดลงของแรงฟิลด์ที่ขอบเม็ด และผลวาริสเตอร์นั้นค่อนข้างอ่อนแอ
ฟิก 3 แสดงอาศัยโดยทั่วไปของความต้านทานความแรงของฟิลด์ จะเห็นได้ว่าความแตกต่างของความต้านทานมากที่สุดระหว่าง R(E1) R(E2) และ R(E3) ที่อุณหภูมิ Tmax และ ในขอบเขตของความต้านทานสูงสุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความต้านทานของเทอร์มิสเตอร์ตรวจจับ PTC จะประกอบไปด้วยการต่อต้านจากเมล็ดธัญพืชและการต่อต้านการเปลี่ยนแปลงเขตเมล็ดธัญพืชที่ โดยเฉพาะในรัฐร้อนอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นซึ่งมีการกำหนดการต่อต้านแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้นนำไปใช้กับเทอร์มิสเตอร์ตรวจจับ PTC จะลดลงดังนั้นจึงเป็นหลักที่มีอุปสรรคจากเมล็ดธัญพืชที่มีผลที่ความสูงที่โดดเด่นอยู่บนที่นี่ทำให้เกิดการแตกของสิ่งกีดขวางที่อาจเกิดขึ้นได้และทำให้การต่อต้านลดลง มากขึ้นคืออุปสรรคที่เกิดขึ้นมีมากกว่าที่จะมีอิทธิพลของ"มีผล varistor นี้"ในการต่อต้าน การอ้างอิงที่ อุณหภูมิ ที่ต่ำกว่าสถานที่ที่ทางแยกที่มีแรงดันไฟฟ้าไม่ได้ทำเครื่องหมายเพื่อให้นำไปใช้ให้มากที่สุดจะถูกดูดซับโดยการต่อต้านเมล็ดออก ทำให้ความแรงของสนามที่ในขอบเขตธัญพืชจะลดลงและมีผลบังคับใช้ varistor ที่ไม่รัดกุมมากทีเดียว.
รูปที่ 3 แสดงการพึ่งพาอาศัยตามแบบอย่างของการต่อต้านในความแรงของสนาม สามารถที่จะเห็นว่าความแตกต่างที่มีขนาดใหญ่ที่สุดในการต่อต้านเป็นระหว่าง R ( E 1 )R ( E 2 )และ R ( E 3 )ที่ tmax อุณหภูมิ และทำให้ในเขตพื้นที่ที่มีความต้านทานสูงสุด.