The latest report by Du et al. show

The latest report by Du et al. showed that the Schottky junction
between Pd and RGO and silicon changed on exposure to H2, and as
a result, the device resistance decreased in the presence of H2 gas

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รายงานล่าสุดโดย Du และ al.พบที่แยก Schottkyระหว่าง Pd RGO และซิลิโคนเปลี่ยนแสง H2 และเป็นผล ความต้านทานของอุปกรณ์ลดลงในก๊าซ H2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายงานล่าสุดจาก Du, et al แสดงให้เห็นว่าทางแยกกี
ระหว่าง Pd และ RGO และซิลิกอนการเปลี่ยนแปลงในการสัมผัสกับ H2 และเป็น
ผลให้อุปกรณ์ต้านทานลดลงในการปรากฏตัวของก๊าซ H2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายงานล่าสุดโดย du et al . ชุมทางท์ พบว่าระหว่างโปรดิวเซอร์และ rgo และซิลิคอนในการเปลี่ยนแปลงราคา และเป็นการต้านทานอุปกรณ์ในการแสดงตนของราคาก๊าซลดลง