This defect- or impurity-dominated

This defect- or impurity-dominated conductivity is a consequence of
the large band gap[15,16] (3.3 eV at room temperature) combined with the unavoidable
presence of electrically active native defects and impurities with donor ionization energies
typically[15] 10–100 meV at concentrations typically[15] 1015–1016 cm
3.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ครอบงำความบกพร่อง หรือมลทินที่นำจะเป็นผลมาจาก[15,16] ช่องว่างวงใหญ่ (3.3 eV ที่อุณหภูมิห้อง) รวมกับที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ของข้อบกพร่องเป็นงานไฟฟ้าและสิ่งสกปรก ด้วยพลังงาน ionization ผู้บริจาคโดยทั่วไป [15] 10 – 100 meV ที่ความเข้มข้นโดยทั่วไป [15] 1015-1016 ซม.3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การนำ defect-
นี้หรือสิ่งเจือปนที่โดดเด่นเป็นผลมาจากช่องว่างขนาดใหญ่วง[15,16] (? 3.3 eV ที่อุณหภูมิห้อง)
รวมกับการหลีกเลี่ยงไม่ได้ปรากฏตัวของข้อบกพร่องพื้นเมืองที่ใช้งานด้วยระบบไฟฟ้าและสิ่งสกปรกด้วยพลังไอออนไนซ์ผู้บริจาคโดยปกติ
[15]? 10-100 meV ที่ความเข้มข้นโดยทั่วไปแล้ว [15]? 1015-1016 ซม.
3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลูกชายชื่อวัน