Next, an oxidation layer is formed

Next, an oxidation layer is formed on this layer with two small regions for the formation of the gate terminals of NMOS and PMOS.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นออกซิเดชันที่เกิดขึ้นในชั้นนี้มีสองภูมิภาคขนาดเล็กสำหรับการก่อตัวของเทอร์มินัลเก NMOS และ PMOS

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ถัดไปชั้นออกซิเดชันจะเกิดขึ้นในชั้นนี้กับสองภูมิภาคขนาดเล็กสำหรับการก่อตัวของขั้วประตู NMOS และ PMOS

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ต่อไปการออกซิเดชันชั้นถูกสร้างขึ้นในชั้นนี้กับสองภูมิภาคขนาดเล็กสำหรับการก่อตัวของประตูและขั้วของ nmos pmos .