Over the years integrated circuits

Over the years integrated circuits have been made with a greater and greater density of transistor located on a single silicon chip with a corresponding decrease in transistor width. For example, in 1998 the point-to-point resolution for the smallest measurement on a silicon chip was 0.18 m and the diameter of the silicon wafer used was 12 in.(300 mm). Another improvement may be the replacement of aluminum by copper for interconnects because of the higher conductivity of copper.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปี ได้รับการทำวงจรรวมกับความหนาแน่นมากขึ้น และมากขึ้นของทรานซิสเตอร์ที่อยู่โปรแกรมเดียวซิลิคอนทรานซิสเตอร์ความกว้างลดลงสอดคล้องกัน ตัวอย่าง ในปี 1998 ความละเอียดแบบจุดต่อจุดสำหรับการประเมินน้อยที่สุดในชิซิลิคอน 0.18 m และ 12 ค่ะ (300 mm) มีเส้นผ่าศูนย์กลางของการใช้ ปรับปรุงอื่นอาจเปลี่ยนอลูมิเนียมโดยทองแดงสำหรับเชื่อมต่อเนื่องจากนำสูงของทองแดงได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลายปีที่ผ่านวงจรรวมได้รับการทำที่มีความหนาแน่นมากขึ้นและมากขึ้นจากทรานซิสเตอร์ที่ตั้งอยู่บนชิปซิลิกอนเดียวกับการลดลงสอดคล้องกันในความกว้างของทรานซิสเตอร์ ยกตัวอย่างเช่นในปี 1998 ความละเอียดแบบจุดต่อจุดเพื่อตรวจวัดที่เล็กที่สุดในชิปซิลิกอนเป็น 0.18 เมตรและเส้นผ่าศูนย์กลางของซิลิคอนเวเฟอร์ที่ใช้เป็น 12. (300 มิลลิเมตร) การปรับปรุงอื่นอาจจะเปลี่ยนจากอลูมิเนียมทองแดงเชื่อมต่อเนื่องจากการที่สูงขึ้นของการนำทองแดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กว่าปีที่ผ่านมาวงจรรวมได้มีมากขึ้นและมากขึ้นความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์บนชิปซิลิคอนเดียวอยู่กับการลดลงสอดคล้องกันในความกว้างของทรานซิสเตอร์ ตัวอย่างเช่น ในปี 1998 ความละเอียดจุดเล็กที่สุดในการวัดสำหรับชิปซิลิคอนคือ 0.18 เมตร และเส้นผ่าศูนย์กลางของซิลิคอนเวเฟอร์ที่ใช้คือ 12 ( 300 มม. )การปรับปรุงอื่นอาจจะใช้อลูมิเนียมด้วยทองแดงเชื่อมเนื่องจากสูงกว่าค่าการนำไฟฟ้าของทองแดง