The DMFET nanogap device (Fig. 1a)

The DMFET nanogap device (Fig. 1a) was fabricated using conventional complementary metal oxide semiconductor (CMOS) processes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์ nanogap DMFET (Fig. 1a) ถูกหลังสร้างโดยใช้กระบวนการทั่วไปทรานซิสเตอร์คู่ประกอบชนิดโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ (CMOS)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์ nanogap DMFET (รูป. 1a) ถูกประดิษฐ์โดยใช้โลหะที่สมบูรณ์แบบเดิมออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (CMOS) กระบวนการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ dmfet nanogap อุปกรณ์ ( รูปที่ 1A ) ถูกประดิษฐ์ใช้ตามปกติ ซึ่งโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ ( CMOS ) กระบวนการ