3.1.1. Sensing circuitSensing circu

3.1.1. Sensing circuit
Sensing circuit (see Fig. 2) is based on the Wheatstone bridge [24]. Operational amplifier AD8532, DD2, is used as a current buffer for the power supply of the sensing circuit. It is connected to theDAC output of the ADuC836, DD4, and switched by toggling the MOSFET IRLML6302, VT1.
The resistance of R2 and R3 is 1 k each. The resistance of R4 is 1K and we wire it in series to the Wheatstone circuit to measure the heating current for the sensors. The heating current is measured by measuring R4 voltage drop and applying Ohm’s law. R4 can be removed in the final prototype.
The Wheatstone bridge includes reference and active catalytic gas sensors of pellistor type [13], X1 and X2, respectively, manufactured by NTC-IGD, Russia. Each sensor has platinum micro coils with thickness 10 um covered by quartz isolation (2 um). In the active sensor, X2, the micro coils covered by porous gamma alumina oxide impregnated by catalytically active metals (mixture of Pd and Pt).The reference sensor, X1, has only the micro coils covered by porous gamma alumina oxide material without catalytically active metals.
Both reference and active sensors are placed in one package. It should be noted that a semiconductor sensor with similar technical parameters can be used instead of the catalytic one.
Alteration of the micro hotplate resistance Rm depends on its temperature Tsens, which is related to catalytic gas combustion:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.1.1 การตรวจวงจร
ตรวจวงจร (ดู Fig. 2) อยู่บนสะพานวีตสโตน [24] ขยายการดำเนินงาน AD8532, DD2 ใช้เป็นบัฟเฟอร์ปัจจุบันสำหรับการจ่ายไฟของวงจร sensing เชื่อมต่อกับ theDAC ผล ADuC836, DD4 และสลับ โดยสลับการมอสเฟต IRLML6302, VT1.
ความต้านทาน R2 และ R3 เป็นแต่ละ k 1 ความต้านทานของ R4 เป็น 1K และเราสายในชุดนั้นให้วงจรวีตสโตนวัดความร้อนปัจจุบันสำหรับเซนเซอร์ วัดความร้อนปัจจุบันวัดปล่อยแรงดัน R4 และใช้กฎของโอห์ม R4 สามารถถูกเอาออกในขั้นสุดท้ายต้น
วีตสโตนบริดจ์มีการอ้างอิงและใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาก๊าซเซนเซอร์ชนิด pellistor [13] X 1 และ X 2 ตามลำดับ ผลิต โดย NTC IGD รัสเซีย แต่ละเซนเซอร์มีขดลวดขนาดเล็กแพลตตินั่ม มีความหนา 10 อุ่มครอบคลุมแยกควอตซ์ (2 อึม) ในการใช้งานเซ็นเซอร์ X 2 ขดลวดขนาดเล็กที่ครอบคลุม โดย porous แกมมาอลูมินาออกไซด์ impregnated โดย catalytically งานโลหะ (ส่วนผสมของ Pd และ Pt)การอ้างอิงเซ็นเซอร์ X 1 มีเฉพาะขดลวดขนาดเล็กครอบคลุม โดย porous แกมมาอลูมินาออกไซด์วัสดุโดยไม่ catalytically งานโลหะ.
ทั้งอ้างอิง และเซนเซอร์ที่ใช้งานอยู่ในแพคเกจเดียวกัน ควรสังเกตว่า สารกึ่งตัวนำเซนเซอร์กับพารามิเตอร์ทางเทคนิคที่คล้ายกันสามารถใช้ไปตัวเร่งปฏิกิริยา
แก้ไขต้านแห่งไมโคร Rm ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของ Tsens ที่เกี่ยวข้องกับการเผาไหม้ก๊าซตัวเร่งปฏิกิริยา:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.1.1 ตรวจจับวงจร
ตรวจจับวงจร (ดูรูปที่ 2.) จะขึ้นอยู่กับสะพานวี [24] AD8532 ขยายการดำเนินงาน DD2 จะถูกใช้เป็นบัฟเฟอร์ปัจจุบันสำหรับแหล่งจ่ายไฟของวงจรตรวจจับ มันเชื่อมต่อกับเอาท์พุท theDAC ของ ADuC836, DD4 และเปลี่ยนได้ด้วยการสลับ IRLML6302 MOSFET, VT1
ความต้านทานของ R2 และ R3 เป็น 1 แต่ละ k ความต้านทานของ R4 เป็น 1K และเราก็สายในซีรีส์กับวงจรวีทสโตนเพื่อวัดความร้อนในปัจจุบันสำหรับเซ็นเซอร์ ปัจจุบันความร้อนจะถูกวัดโดยการวัดแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง R4 และการประยุกต์ใช้กฎของโอห์ม R4 สามารถลบออกได้ในต้นสุดท้าย
สะพานวีรวมถึงการอ้างอิงและการใช้งานก๊าซเซ็นเซอร์ตัวเร่งปฏิกิริยาชนิด pellistor [13] X1 และ X2 ตามลำดับที่ผลิตโดยกทช-IGD รัสเซีย เซ็นเซอร์แต่ละคนมีขดลวดทองคำขนาดเล็กที่มีความหนา 10 ไมครอนที่ปกคลุมด้วยการแยกผลึก (2 หนอ) ในการใช้งานเซ็นเซอร์, X2, ขดลวดขนาดเล็กที่ปกคลุมไปด้วยรูพรุนอลูมิเนียมออกไซด์ฉาบไว้โดยโลหะที่ใช้งานแบบเร่งปฏิกิริยา (ส่วนผสมของ Pd และ Pt) เซ็นเซอร์อ้างอิงได้โดยง่าย, X1, มีเพียงขดลวดขนาดเล็กที่ปกคลุมไปด้วยรังสีแกมมาที่มีรูพรุนวัสดุอลูมิเนียมออกไซด์เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่ใช้งานได้โดยไม่ต้อง โลหะ
ทั้งการอ้างอิงและเซ็นเซอร์ที่ใช้งานจะอยู่ในหนึ่งแพคเกจ มันควรจะตั้งข้อสังเกตว่าเซ็นเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีพารามิเตอร์ทางเทคนิคที่คล้ายกันสามารถนำมาใช้แทนปัจจัยหนึ่ง
การเปลี่ยนแปลงของความต้านทานร้อนไมโคร Rm ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของมัน Tsens ซึ่งมีความเกี่ยวข้องกับการเผาไหม้ก๊าซเร่งปฏิกิริยา:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.1.1 . ตรวจจับตรวจจับวงจรวงจร
( ดูรูปที่ 2 ) จะขึ้นอยู่กับวีทสโตนบริดจ์ [ 24 ] ปฏิบัติเครื่องขยายเสียง ad8532 DD2 , ถูกใช้เป็นบัฟเฟอร์ปัจจุบันสำหรับแหล่งจ่ายไฟของการตรวจวัดวงจร มันเชื่อมต่อกับ thedac ผลผลิตของ aduc836 DD4 , และการเปลี่ยนโดยสลับที่ irlml6302 vt1 MOSFET , .
ความต้านทาน R2 R3 k และ 1 แต่ละความต้านทานของ R4 คือ 1K และเราโอนเงินในชุดต่อวงจรวีทสโตนวัดความร้อนในปัจจุบันเพื่อเซนเซอร์ ปัจจุบันวัดได้จากเครื่องวัด R4 แรงดันและการประยุกต์ใช้กฎของโอห์ม . R4 สามารถลบออกได้ในต้นแบบสุดท้าย .
วีทสโตนบริดจ์รวมถึงการอ้างอิงและปราดเปรียวความว่องไวของ pellistor ก๊าซเซนเซอร์ชนิด [ 13 ] , X1 และ X2 ตามลำดับผลิตโดย ntc-igd , รัสเซีย . เซนเซอร์แต่ละตัวมีขดลวดแพลทินัมไมโครหนา 10 . ครอบคลุม โดยการแยกผลึก ( 2 . ) ในเซ็นเซอร์ ปราดเปรียว x2 , ไมโครขดลวดอลูมินาออกไซด์แกมมาที่ปกคลุมด้วยวัสดุชุบด้วยโลหะที่ใช้งาน catalytically ( ส่วนผสมของ PD และ PT ) อ้างอิง x1 , เซ็นเซอร์มีเพียงไมโครขดลวดปกคลุมด้วยแกมมาอะลูมินาออกไซด์วัสดุพรุนไม่มีโลหะที่ใช้งาน catalytically .
ทั้งอ้างอิงและเซ็นเซอร์ที่ใช้งานอยู่ในหนึ่งแพคเกจ มันควรจะสังเกตว่าเซ็นเซอร์สารกึ่งตัวนำกับพารามิเตอร์ทางเทคนิคที่คล้ายกันสามารถใช้แทนการหนึ่ง .
การเปลี่ยนแปลงของ RM เครื่องวัดความต้านทานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของ tsens ไมโคร ,ที่เกี่ยวข้องกับการเผาไหม้ของก๊าซไอเสีย :