The energy and angular distribution

The energy and angular distributions of scattered and sputtered particles produced by ion beam sputtering of a Ge target under variation of geometrical (incidence angle of primary ions and emission angle of secondary particles) and ion parameters (ion species (Ar, Xe) and energy (0.5–1.5 keV) are presented.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การพลังงานและการกระจายแองกูลาร์ของกระจัดกระจาย และ sputtered อนุภาคที่ผลิต โดยไอออนแสงพ่นของเป้าหมาย Ge ภายใต้รูปแบบของ geometrical (อุบัติการณ์มุมกันหลักและมุมมลพิษอนุภาครอง) และพารามิเตอร์ไอออน (ชนิดไอออน (Ar, Xe) และพลังงาน (0.5 – 1.5 keV) จะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การกระจายพลังงานและเชิงมุมของอนุภาคกระจัดกระจายและละล่ำละลักผลิตโดยสปัตเตอร์ไอออนลำแสงของเป้าหมาย Ge ภายใต้การเปลี่ยนแปลงของเรขาคณิต (มุมอุบัติการณ์ของไอออนหลักและมุมการปล่อยอนุภาคมัธยม) และพารามิเตอร์ไอออน (ไอออนชนิด (Ar, Xe) และพลังงาน ( 0.5-1.5 เคฟ) ถูกแสดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พลังงานและการแจกแจงเชิงมุมของการกระจายและ sputtered อนุภาคที่ผลิตโดยไอออนบีมสปัตเตอริงของ GE เป้าหมายภายใต้รูปแบบของเรขาคณิต ( อุบัติการณ์มุมของการปล่อยไอออนและมุมของอนุภาคทุติยภูมิ ) และพารามิเตอร์ไอออน ( ไอออนชนิด ( AR , XE ) และพลังงาน ( 0.5 – 1.5 เคฟ ) ได้แก่