The silicon porous layers used in t

The silicon porous layers used in the experiments are realized onto 3-inches diameter (100) silicon wafers ( 400 micrometer-thick,p-type and electrical resistivity -0.01 Aohm.cm). The mesoporous character of the layers is formed by an anodisation process during 35 min in a mixture of 27% fluorhydric acid (HF), 38% deionized water and 35% ethanol with a current density of 100 mAcm

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้น porous ซิลิกอนที่ใช้ในการทดลองมีการรับรู้ไปรับซิลิกอน (100) เส้นผ่าศูนย์กลาง 3 นิ้ว (หนาไมโครมิเตอร์ ชนิด p และความต้านทานไฟฟ้า-0.01 400 Aohm.cm) อักขระตัวของชั้นที่มีรูปแบบตามกระบวนการ anodisation ระหว่าง 35 นาทีในส่วนผสมของกรด fluorhydric 27% (HF), น้ำ 38% deionized และ 35% เอทานอลกับความหนาแน่นเป็นปัจจุบันของ 100 mAcm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นที่มีรูพรุนซิลิกอนที่ใช้ในการทดลองจะตระหนักบนขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 3 นิ้ว (100) ซิลิคอนเวเฟอร์ (400 ไมโครเมตรหนา, p-ชนิดและความต้านทานไฟฟ้า -0.01 Aohm.cm) ตัวละครของเมโซพอรัสชั้นจะเกิดขึ้นโดยกระบวนการ anodisation ในช่วง 35 นาทีส่วนผสมของกรด 27% fluorhydric (HF) 38% น้ำปราศจากไอออนและเอทานอล 35% ที่มีความหนาแน่นในปัจจุบันของ 100 MACM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนรูพรุนชั้นใช้ในการทดลองจะตระหนักไว้ 3-inches เส้นผ่าศูนย์กลาง ( 100 ) ซิลิคอนเวเฟอร์ ( 400 ไมโครเมตรหนาและพีความต้านทานไฟฟ้า - 0.02 aohm เซนติเมตร ) ตัวละครรัสของชั้นที่มีรูปแบบโดยการ anodisation กระบวนการในช่วง 35 นาที ในสารละลายของกรด fluorhydric 27 % ( HF ) , น้ำคล้ายเนื้อเยื่อประสาน 38 % และ 35 % เอทานอลที่มีความหนาแน่น 100 macm