Coupled simulation to determine the

Coupled simulation to determine the impact of across wafer variations in oxide PECVD on electrical and reliability parameters
of through-silicon vias

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ควบคู่การจำลองเพื่อกำหนดผลกระทบของรูปแบบแผ่นเวเฟอร์ในออกไซด์ PECVD ในไฟฟ้าและพารามิเตอร์ความน่าเชื่อถือของผ่านซิลิคอน vias

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ควบคู่การจำลองเพื่อตรวจสอบผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงเวเฟอร์เจอใน PECVD
ออกไซด์ในค่าไฟฟ้าและความน่าเชื่อถือของจุดแวะผ่านซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คู่การจำลองแบบเพื่อศึกษาผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงใน pecvd ข้ามเวเฟอร์ออกไซด์แบบไฟฟ้าและพารามิเตอร์
ของ Vias ผ่านซิลิคอน