The next step is the inclusion of t

The next step is the inclusion of the fmite base, collector,
and emitter resistances in the model. The emitter resistance is
determined by stimulating the base with a current in strong
saturation and measuring the collector-emitter voltage. The
collector current is kept small (typically less than 1 microAmp)
and the applied base current is swept up to lOrnA. The inverse
of the gradient of characteristics can then be used to obtain
emitter resistance. The measurement of the collector resistance
is similar to the emitter resistance. Here, current is applied to
the base and collector, and the collector-emitter voltage is
measured. The base current vs. base-collector voltage
characteristics for two collector current values is measured and
the collector resistance is determined from the ratio of
collector-emitter voltage difference to collector current
difference. Figure 4 is a screenshot showing the output
characteristics and extracted SPICE parameters; the Early voltage and collector resistance for a NPN BJT.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนต่อไปคือ การรวมของสะสมฐาน fmiteและตัวส่งความต้านทานในรูปแบบ มีความต้านทานตัวส่งกำหนด โดยการกระตุ้นฐาน ด้วยปัจจุบันในแข็งแรงความเข้มและวัดแรงดันตัวเก็บรวบรวมส่ง ที่ปัจจุบันเก็บอยู่ขนาดเล็ก (โดยทั่วไปน้อยกว่า 1 มัลติมิเตอร์)และปัจจุบันฐานใช้ได้จับหิ่งห้อยค่า lOrnA ผกผันของการไล่ระดับของลักษณะนั้นสามารถใช้เพื่อขอรับความต้านทานของตัวส่ง วัดความต้านทานตัวเก็บรวบรวมมีลักษณะคล้ายกับความต้านทานตัวส่ง ที่นี่ ใช้ปัจจุบันฐาน และรวบรวม และแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บรวบรวมส่งวัด ฐานปัจจุบันเทียบกับแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บรวบรวมฐานวัดลักษณะสองเก็บค่าปัจจุบัน และความต้านทานตัวเก็บรวบรวมจะถูกกำหนดจากอัตราส่วนของเก็บตัวส่งแรงดันแตกต่างเก็บปัจจุบันความแตกต่าง รูปที่ 4 เป็นหน้าจอที่แสดงผลลักษณะและแยกพารามิเตอร์เครื่องเทศ ในช่วงแรงดันไฟฟ้าและตัวเก็บรวบรวมต้านทานสำหรับความภูมิใจไทย NPN

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นต่อไปคือการรวมของฐาน fmite เก็บ,
และความต้านทานอีซีแอลในรูปแบบ ต้านทานอีซีแอลจะถูกกำหนดโดยการกระตุ้นฐานที่มีในปัจจุบันที่แข็งแกร่งความอิ่มตัวของสีและการวัดแรงดันสะสม-อีซีแอล ปัจจุบันจะถูกเก็บไว้สะสมขนาดเล็ก (มักจะน้อยกว่า 1 ไมโครแอมป์) และปัจจุบันนำมาใช้เป็นฐานกวาดขึ้นอยู่กับลอร์นา ผกผันของการไล่ระดับสีในลักษณะนั้นจะสามารถใช้เพื่อให้ได้ความต้านทานอีซีแอล การวัดความต้านทานสะสมจะคล้ายกับการต้านทานอีซีแอล ที่นี่ถูกนำไปใช้ในปัจจุบันเพื่อฐานและนักสะสมและแรงดันไฟฟ้าที่เก็บ-อีซีแอลจะวัด ปัจจุบันฐานเทียบกับแรงดันไฟฟ้าฐานเก็บลักษณะสองเก็บค่าปัจจุบันเป็นวัดและต้านทานสะสมคำนวณจากอัตราส่วนของความแตกต่างแรงดันสะสม-อีซีแอลจะสะสมในปัจจุบันแตกต่างกัน รูปที่ 4 เป็นภาพหน้าจอแสดงผลลัพธ์ลักษณะและสกัดพารามิเตอร์SPICE; แรงดันไฟฟ้าในช่วงต้นและความต้านทานสะสมสำหรับ NPN BJT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้นตอนต่อไปคือการรวมของ fmite ฐาน , สะสม , และความต้านทาน
อีซีในรูปแบบ ต้านทานอีซีเป็น
กำหนดโดยกระตุ้นฐานกับปัจจุบันในความอิ่มตัวแข็งแรง
และวัดเก็บมิเตอร์ไฟฟ้า
สะสมปัจจุบันเก็บขนาดเล็ก ( มักจะน้อยกว่า 1 microamp )
และใช้ฐานปัจจุบันกวาดถึง ลอร์น่า ผกผัน
ของการไล่ระดับสี ลักษณะนั้นจะสามารถใช้เพื่อขอรับ
มิเตอร์มีความต้านทาน การวัดการสะสมต้านทาน
คล้ายกับต้านทานอีซี . ที่นี่ ปัจจุบันมีใช้
ฐานและนักสะสม และนักสะสมมิเตอร์แรงดันไฟฟ้า
วัด ฐานปัจจุบัน กับ ฐานสะสมแรงดัน
ลักษณะสองสะสมปัจจุบันค่าวัดและ
ความต้านทานที่สะสมจะถูกกำหนดจากอัตราส่วนของแรงดันสะสมความแตกต่างความแตกต่างอีซี

ในปัจจุบันนักสะสม รูปที่ 4 คือ หน้าจอที่แสดงผล
ลักษณะและพารามิเตอร์เครื่องเทศสกัด ; ความต้านทานแรงดันก่อนและเก็บเป็น NPN BJT .