Selective Ga + ion implantation and

Selective Ga + ion implantation and miring by focused ion beam exposure and subsequent wet chemical etching is used to fabricate micro/nanomechanical elements in Si. Freestanding elements with a 30 nm membrane thickness are made by controlled selective underetching between unexposed and exposed areas. Ultrahigh-frequency cantilever beams have been made with resonances in the tens of MHz range. Using a U-shaped beam cross section, mechanical stiffness could be increased 100-fold, which in turn increased the beam resonance frequency to several hundreds of MHz. The direct-write patterning/milling technique was used to fabricate various arbitrary shapes with vertical sidewalls such as submicrometer-sized containers, cups, and other nanomechanical devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้ Ga + ไอออนฤทธิ์ และ miring โดยเน้นแสงคานไอออน และกัดเคมีเปียกตามมาใช้ในการปั้นองค์ประกอบ ไมโคร/nanomechanical ในศรี องค์ลอย มีความหนา 30 nm เมมเบรนจะทำ โดย underetching มาตรการควบคุมระหว่าง unexposed และสัมผัส ความถี่ Ultrahigh cantilever คานได้ทำกับ resonances ในสิบช่วง MHz ใช้ไม้คานรูปตัวยูข้ามส่วน เครื่องจักรกลความแข็งอาจจะเพิ่ม 100-fold ซึ่งจะเพิ่มความถี่การสั่นพ้องในคานการหลายร้อยเมกะเฮิรตซ์ได้ เทคนิค patterning/มิ ลลิ่งเขียนตรงที่ใช้ปั้นรูปต่าง ๆ กำหนด ด้วย sidewalls แนวตั้งขนาด submicrometer บรรจุภัณฑ์ ถ้วย และอุปกรณ์อื่น ๆ nanomechanical

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เลือก Ga + ไอออนและฝัง miring จากการสัมผัสลำแสงไอออนที่มุ่งเน้นและต่อมาแกะสลักเคมีเปียกถูกนำมาใช้ในการประดิษฐ์ไมโคร / nanomechanical องค์ประกอบในศรี องค์ประกอบอิสระที่มีความหนา 30 นาโนเมตรเมมเบรนจะทำโดย underetching เลือกระหว่างพื้นที่ควบคุมยังไม่ได้ถ่ายและสัมผัส ยูเอชทีความถี่คานคานได้รับการทำกับ resonances ในช่วงหลายสิบ MHz ใช้ส่วนข้ามคานรูปตัวยูตึงกลอาจจะเพิ่มขึ้น 100 เท่าซึ่งจะเพิ่มขึ้นคานความถี่เสียงสะท้อนหลายหลายร้อย MHz โดยตรงเขียนแบบ / เทคนิคกัดถูกใช้ในการสร้างรูปทรงต่างๆที่มีพลชิดแนวตั้งเช่นภาชนะ submicrometer ขนาดถ้วยและอุปกรณ์ nanomechanical อื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การฝังไอออนโดยเน้นกา miring ลำแสงไอออนและเปียกเคมีแกะสลักตามมาการใช้โครงสร้างองค์ประกอบ nanomechanical ไมโคร / ซี อิสระองค์ประกอบกับ 30 nm เยื่อหนา ทำให้ควบคุมการ underetching ระหว่างพื้นที่อิ่มและสัมผัส . คลื่นวิทยุความถี่คานเท้าแขนไว้กับ resonances ในสิบ MHz ช่วงใช้รูปตัวยูคานขวางกลความแข็งแรงอาจจะเพิ่มขึ้น 100 เท่า ซึ่งจะทำให้คานเรโซแนนซ์ความถี่หลายร้อยเมกะเฮิรตซ์ เขียนแบบ / milling โดยใช้เทคนิคประดิษฐ์รูปร่างโดยพลการต่างๆกับแนวตั้งชิด เช่น submicrometer ขนาดภาชนะ ถ้วย และอุปกรณ์ nanomechanical อื่น ๆ