The exponential rise in current wit

The exponential rise in current with forward bias is described by Eq. (1.2) but with n
dependent on the construction technique (1.05 for the metal-whisker type of construction,
which is somewhat similar to the germanium diode). In the reverse-bias region, the
current I s is due primarily to those electrons in the metal passing into the semiconductor
material. One of the areas of continuing research on the Schottky diode centers on reducing
the high leakage currents that result with temperatures over 100°C. Through design,
improved units are available that have a temperature range from 65°C to 150°C. At
room temperature, I s is typically in the microampere range for low-power units and the
milliampere range for high-power devices, although it is typically larger than that encountered
using conventional p – n junction devices with the same current limits. In addition, the
PIV of Schottky diodes is usually significantly less than that of a comparable p – n junction
unit. Typically, for a 50-A unit, the PIV of the Schottky diode is typically 50 V or less as
compared to 150 V for the p – n junction variety. Recent advances, however, have resulted
in Schottky diodes with PIVs greater than 100 V at this current level. It is obvious from
the characteristics of Fig. 16.2 that the Schottky diode is closer to the ideal set of characteristics
than the point contact and has levels of V T less than those of the typical silicon
semiconductor p – n junction. The level of V T for the “hot-carrier” diode is controlled to a
large measure by the metal employed. There is a trade-off between temperature range and
level of V T . An increase in one appears to correspond to a resulting increase in the other.
In addition, the lower the range of allowable current levels, the lower is the value of V T .
For some low-level units, the value of V T can be assumed to be essentially zero on an approximate
basis. For the middle and high ranges, however, a value of 0.2 V appears to be
a good representative value.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อธิบายเพิ่มขึ้นชี้แจงในปัจจุบันมีความโน้มเอียงไปข้างหน้า โดย Eq. (1.2) แต่ ด้วย nขึ้นอยู่กับเทคนิคการก่อสร้าง (1.05 ชนิดหนวดเหล็กก่อสร้างซึ่งจะค่อนข้างคล้ายกับไดโอดเจอร์เมเนียม) ในภูมิภาคอคติย้อนกลับ การปัจจุบันผม s ครบกำหนดเป็นหลักการที่อิเล็กตรอนในโลหะผ่านลงในสารกึ่งตัวนำที่วัสดุที่ หนึ่งในพื้นที่ของการวิจัยอย่างต่อเนื่องบนไดโอด Schottky ศูนย์กลางลดลงกระแสรั่วไหลสูงที่อุณหภูมิกว่า 100 องศาเซลเซียส ผ่านการออกแบบมีการปรับปรุงหน่วยที่มีช่วงอุณหภูมิตั้งแต่ 65° C ถึง 150° c ที่อุณหภูมิห้อง ฉัน s มักจะอยู่ในช่วง microampere สำหรับหน่วยพลังงานต่ำและช่วงมิลลิแอมแปร์สำหรับอุปกรณ์กำลังสูง แม้ว่ามันจะมีขนาดใหญ่กว่าที่พบโดยทั่วไปใช้ธรรมดา p – n junction อุปกรณ์ขีดจำกัดเดียวกันปัจจุบัน นอกจากนี้ การPIV Schottky ไดโอดจะมีมากน้อยกว่าของเทียบ p – n junctionหน่วยงาน โดยทั่วไป สำหรับ 50 A หน่วย PIV ของไดโอด Schottky เป็นปกติ 50 V หรือน้อยกว่าเป็นเมื่อเทียบกับ 150 V p – n junction หลากหลาย พัฒนาการล่าสุด อย่างไรก็ตาม มีผลในไดโอด Schottky กับ PIVs มากกว่า 100 V ในระดับปัจจุบันนี้ มันเห็นได้ชัดจากลักษณะของรูปที่ 16.2 ว่า ไดโอด Schottky เป็นใกล้ชิดกับลักษณะชุดเหมาะกว่าจุดติดต่อ และมีระดับของ V T น้อยกว่าซิลิโคนทั่วไปสารกึ่งตัวนำ p-n junction ควบคุมระดับของ V T สำหรับไดโอด "ร้อนส่ง" เพื่อเป็นวัดใหญ่ โดยโลหะที่ใช้ มีปิดระหว่างช่วงอุณหภูมิ และระดับ V T การเพิ่มขึ้นหนึ่งจะ สอดคล้องกับการเพิ่มในอีกนอกจากนี้ น้อยช่วงของปัจจุบันที่อนุญาตระดับ ต่ำกว่าเป็นค่าของ V Tสำหรับบางหน่วยระดับต่ำ ค่าของ V T สามารถจะสันนิษฐานเป็นศูนย์หลักในการประมาณพื้นฐาน ช่วงกลาง และสูง อย่างไรก็ตาม ค่า 0.2 V ปรากฏ เป็นค่าตัวแทนดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพิ่มขึ้นชี้แจงในปัจจุบันที่มีอคติไปข้างหน้ามีการอธิบายโดยสมการ (1.2) แต่มี n
ขึ้นอยู่กับเทคนิคการก่อสร้าง (1.05 สำหรับชนิดของโลหะมัสสุของการก่อสร้าง
ซึ่งจะค่อนข้างคล้ายกับไดโอดเจอร์เมเนียม) ในภูมิภาคกลับอคติที่
ฉันปัจจุบันเป็นสาเหตุหลักมาจากอิเล็กตรอนผู้ที่อยู่ในโลหะที่ผ่านเข้ามาในเซมิคอนดักเตอร์
วัสดุ หนึ่งในพื้นที่ของการวิจัยอย่างต่อเนื่องในศูนย์ไดโอดกีในการลด
กระแสรั่วไหลสูงที่ส่งผลให้มีอุณหภูมิสูงกว่า 100 องศาเซลเซียส ผ่านการออกแบบ
หน่วยการปรับปรุงที่มีอยู่ที่มีช่วงอุณหภูมิจากไหน? 65 ° C ถึง 150 ° C ที่
อุณหภูมิห้องฉันคือมักจะอยู่ในช่วง microampere สำหรับหน่วยพลังงานต่ำและ
ช่วง milliampere สำหรับอุปกรณ์พลังงานสูงแม้ว่ามันจะเป็นมักจะมีขนาดใหญ่กว่าที่พบ
โดยใช้ P ธรรมดา - n อุปกรณ์จุดเชื่อมต่อกับข้อ จำกัด ในปัจจุบันเดียวกัน นอกจากนี้
PIV ของ Schottky ไดโอดมักจะมีนัยสำคัญน้อยกว่าที่ของ P เปรียบ - n แยก
หน่วย โดยปกติแล้วสำหรับ 50 หน่วย PIV ของไดโอดกีที่เป็นปกติ 50 V หรือน้อยกว่าเป็น
เมื่อเทียบกับ 150 V สำหรับพี - n ชุมหลากหลาย ความก้าวหน้าล่าสุด แต่มีผล
ใน Schottky ไดโอดกับ PIVs มากกว่า 100 V ที่ระดับปัจจุบันนี้ จะเห็นได้ชัดจาก
ลักษณะของมะเดื่อ 16.2 ที่ไดโอดกีเป็นผู้ใกล้ชิดกับชุดที่เหมาะของลักษณะ
กว่าจุดติดต่อและมีระดับของ VT น้อยกว่าของซิลิกอนทั่วไป
พีเซมิคอนดักเตอร์ - n ชุม ระดับของ VT สำหรับ "ร้อนผู้ให้บริการ" ไดโอดจะถูกควบคุมให้เป็น
วัดขนาดใหญ่โดยโลหะที่ใช้ มีการออกระหว่างช่วงอุณหภูมิและมี
ระดับของ VT การเพิ่มขึ้นในหนึ่งปรากฏขึ้นเพื่อให้สอดคล้องกับการเพิ่มขึ้นส่งผลให้ในอีก.
นอกจากนี้จะต่ำกว่าช่วงของระดับปัจจุบันที่อนุญาตที่ต่ำกว่าคือค่าของเวอร์มอนต์.
สำหรับบางหน่วยในระดับต่ำค่าของ VT สามารถสันนิษฐานว่า เป็นหลักศูนย์ประมาณ
พื้นฐาน สำหรับช่วงกลางและสูง แต่มูลค่า 0.2 V ดูเหมือนจะเป็น
ค่าตัวแทนที่ดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพิ่มขึ้นชี้แจงในปัจจุบันกับไปข้างหน้า อคติ คือการอธิบายโดย ( 1.2 ) แต่กับอีคิวขึ้นอยู่กับเทคนิคการก่อสร้าง ( 1.05 สำหรับหนวดโลหะประเภทของการก่อสร้างซึ่งค่อนข้างคล้ายกับเจอร์เมเนียมไดโอด ) ในตรงกันข้ามอคติ ภูมิภาคปัจจุบันผมเป็นหลัก เนื่องจากอิเล็กตรอนเหล่านั้นในโลหะผ่านเข้าไปในสารกึ่งตัวนำวัสดุ หนึ่งในพื้นที่ของการค้นคว้าวิจัยอย่างต่อเนื่องในไดโอดชอทท์กี้ ศูนย์ ใน การ ลดการรั่วไหลของกระแสสูงผลที่อุณหภูมิเกิน 100 องศา ผ่านการออกแบบหน่วยปรับปรุงจะพร้อมใช้งานที่อุณหภูมิ 65 องศา C จาก 150 องศา ที่อุณหภูมิ ห้องผมเป็นปกติในช่วง microampere สำหรับหน่วยพลังงานและหนึ่งในพันส่วนของหนึ่งแอมแปร์ช่วงอุปกรณ์แรงสูง ถึงแม้ว่ามันมักจะมีขนาดใหญ่กว่าที่พบใช้ปกติ P ) N แยกอุปกรณ์ที่มีเดียวกันปัจจุบันจำกัด นอกจากนี้piv ของท์ไดโอดมักจะน้อยกว่าที่ของเทียบเท่า P ) N ชุมทางหน่วย โดยทั่วไปสำหรับหน่วย 50-a , piv ของไดโอดท์ 50 V หรือน้อยกว่าเป็นปกติคือเมื่อเทียบกับ 150 v P และ N รอยต่อต่างๆ ก้าวหน้า อย่างไรก็ตาม มีผลใน pivs ชอทท์กี้ไดโอดที่มีมากกว่า 100 V ในระดับนี้ปัจจุบัน จะเห็นได้จากลักษณะของภาพที่ 16.2 ที่ไดโอดชอทท์กี้อยู่ใกล้กับชุดเหมาะลักษณะกว่าจุดติดต่อ และมีระดับของวีที น้อยกว่าซิลิโคนทั่วไปสารกึ่งตัวนำ p - N Junction ระดับ V T สำหรับร้อน " ผู้ให้บริการ " ไดโอดควบคุมเป็นขนาดใหญ่วัดโดยโลหะที่ใช้ มีการแลกเปลี่ยนระหว่างอุณหภูมิและระดับ V T เพิ่มในหนึ่งที่ดูเหมือนจะสอดคล้องกับที่เกิดขึ้นในอื่น ๆนอกจากนี้ ลดช่วงของระดับปัจจุบันที่อนุญาต จะลดลง คือ มูลค่าของ V Tบางระดับหน่วย ค่าของ V T สามารถถือว่าเป็นหลักของศูนย์ที่โดยประมาณพื้นฐาน สำหรับช่วง กลาง และสูง แต่ค่า 0.2 V ปรากฏเป็นค่าตัวแทนดี