Forthis reason, surface characteris

For
this reason, surface characterisation on a series of transition metal silicide
thin films deposited on the Si wafer was carried out in this study
by means of XPS combined with XRD analysis for phase identification

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับด้วยเหตุนี้ ตรวจลักษณะเฉพาะของพื้นผิวที่เป็นโลหะทรานซิชัน silicideฟิล์มบางฝากบนเวเฟอร์ศรีดำเนินการในการศึกษานี้โดย XPS ร่วมกับการวิเคราะห์ XRD สำหรับรหัสขั้นตอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ
เหตุผลนี้ลักษณะพื้นผิวในชุดของโลหะทรานซิลิไซด์
ฟิล์มบางวางลงบนแผ่นเวเฟอร์ศรีได้ดำเนินการในการศึกษาครั้งนี้
โดยวิธีการของ XPS รวมกับการวิเคราะห์ XRD สำหรับการระบุขั้นตอน