Variation of the microstructure wit

Variation of the microstructure with firing temperature for samples produced from the composition with 0.2 wt% of SiC (d50 = 9.3m), and microstructure
of a tile with STD composition fired at 1200 ◦C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาคด้วยยิงอุณหภูมิตัวอย่างผลิตจากองค์ประกอบ 0.2 wt %ของ SiC (d50 = 9.3 m), และต่อโครงสร้างจุลภาคของกระเบื้องมีองค์ประกอบมาตรฐานที่ยิงที่ 1200 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างจุลภาคที่มีอุณหภูมิยิงสำหรับตัวอย่างที่ผลิตจากองค์ประกอบที่มีน้ำหนัก 0.2% ของ SiC (d50 = 9.3? m) และจุลภาค
ของกระเบื้องที่มีส่วนประกอบ STD ยิงที่ 1200 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างจุลภาคกับอุณหภูมิการเผาตัวอย่างที่ผลิตจากส่วนผสมที่มี 0.2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของซิลิกอน ( D50 = 9.3  m ) และโครงสร้างจุลภาค
ของกระเบื้องที่มีส่วนประกอบ STD ยิง 1200 ◦ C