The third top-down method is lithiu

The third top-down method is lithium intercalation, which can be traced back to 1975[324]. Single layer of MoS2 [325], WS2 [326], MoSe2 [327] has been obtained by lithium intercalation with high yield, but the product loses the semiconductor properties as it changes phase to the metallic phase. The semiconductor phase would be recovered by heating at 300 ℃. Since this method needs reaction for several days, modifying this method by electrochemical cell was used to make it more efficient [328]. However, the flammability of lithium and the requirement of an inert atmosphere are still challenging this method. Liquid exfoliation by direct sonication in different solvents has also been studied, such as in organic solvents [107], mixed solvent of water and ethanol [329], aqueous surfactant solutions [329] and a mixture of solvent and polymer [330]. This method is easy to carry out, but the yield is very low.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีจากบนลงล่างวิธีที่สามคือการแทรกแซงลิเธียม ซึ่งสามารถสืบย้อนไปถึงปี 1975 [324] ชั้นเดียวของ MoS2 [325], WS2 [326], MoSe2 [327] ได้มาจากการผสมลิเธียมอินเทอร์คาเลชั่นที่ให้ผลผลิตสูง แต่ผลิตภัณฑ์สูญเสียคุณสมบัติของเซมิคอนดักเตอร์เมื่อเปลี่ยนเฟสเป็นเฟสโลหะ เฟสเซมิคอนดักเตอร์จะถูกกู้คืนโดยการให้ความร้อนที่ 300 ℃ เนื่องจากวิธีนี้ต้องการปฏิกิริยาเป็นเวลาหลายวัน จึงมีการปรับเปลี่ยนวิธีนี้ด้วยเซลล์ไฟฟ้าเคมีเพื่อให้มีประสิทธิภาพมากขึ้น [328] อย่างไรก็ตาม ความสามารถในการติดไฟของลิเธียมและความต้องการของบรรยากาศเฉื่อยยังคงท้าทายวิธีการนี้ นอกจากนี้ยังมีการศึกษา การขัดผิวด้วยของเหลวโดยการโซนิคโดยตรงในตัวทำละลายต่างๆ เช่น ในตัวทำละลายอินทรีย์ [107] ตัวทำละลายผสมของน้ำและเอธานอล [329] สารละลายลดแรงตึงผิวที่เป็นน้ำ [329] และส่วนผสมของตัวทำละลายและโพลีเมอร์ [330] วิธีนี้ทำได้ง่ายแต่ให้ผลผลิตต่ำมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีที่สามจากบนลงล่างคือการฝังลิเธียมซึ่งย้อนกลับไปในปี 1975
[324]。 ได้รับชั้นเดียวของ MoS2 [325], WS2 [326], MoSe2 [327] โดยลิเธียม
แทรกผลผลิตสูง แต่ผลิตภัณฑ์สูญเสียคุณสมบัติของเซมิคอนดักเตอร์เมื่อเปลี่ยนแปลง
เฟสเปลี่ยนเป็นเฟสโลหะ เฟสเซมิคอนดักเตอร์สามารถรีไซเคิลได้โดยการให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 300 องศาเซลเซียส
เนื่องจากวิธีนี้ใช้เวลาในการตอบสนองหลายวันวิธีการนี้ได้รับการปรับปรุงโดยเซลล์เคมีไฟฟ้า
ใช้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ [328] อย่างไรก็ตามความสามารถในการติดไฟของลิเธียมและ
ข้อเรียกร้องของบรรยากาศเฉื่อยยังคงท้าทายกับวิธีการนี้ ของเหลวขัดผิวโดยตรง
sonication ในตัวทำละลายที่แตกต่างกันยังได้รับการศึกษาเช่นในตัวทำละลายอินทรีย์ผสม [107]
ตัวทำละลายสำหรับน้ำและเอทานอล [329] สารละลายลดแรงตึงผิว [329] และส่วนผสมของตัวทำละลาย
และโพลิเมอร์ [330] วิธีนี้ทำได้ง่าย แต่ให้ผลผลิตน้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วิธีจากบนลงล่างที่สามคือวิธีฝังลิเธียม ย้อนกลับไปเมื่อปี 1975
ชั้นเดี่ยวของ mos2 [325 ] , ws2 [326 ] , mose2 [327 ] ได้จากลิเธียม
มีการแทรกแซงที่มีผลผลิตสูงแต่ผลิตภัณฑ์สูญเสียคุณสมบัติของเซมิคอนดักเตอร์เมื่อมีการเปลี่ยนแปลง
เฟสโลหะ. ความร้อนที่300°Cสามารถฟื้นฟูเฟสเซมิคอนดักเตอร์ได้
เนื่องจากวิธีนี้ต้องใช้เวลาในการทําปฏิกิริยาหลายวันวิธีนี้จึงได้รับการปรับปรุงด้วยแบตเตอรี่ไฟฟ้าเคมี
ใช้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ[ 32 ] อย่างไรก็ตามลิเธียมไวไฟและ
บรรยากาศที่เฉื่อยยังคงท้าทายแนวทางนี้ การลอกของเหลวโดยตรง
การรักษาด้วยอัลตราโซนิคในตัวทําละลายที่แตกต่างกันเช่นตัวทําละลายอินทรีย์ผสม[ 107 ]
ตัวทําละลายน้ําและเอทานอล[329],สารลดแรงตึงผิวในน้ํา[329 ]และตัวทําละลาย
และโพลีเมอร์ [330 ]. วิธีนี้ใช้งานได้ง่ายแต่ผลผลิตต่ํา