Introduction Bi4Ge3O12 (BGO) single

Introduction Bi4Ge3O12 (BGO) single crystals are widely used as high-energy X- and c-ray scintillation detectors, originally proposed by Weber and Monchamp [1]. A review paper describing the crystal growth, structure, optical, luminescence and scintillation characteristics including the doped crystals was published in late 1980s [2]. There has been quite some discussion about the nature of the absorption and emission processes in this material: It has been firstly ascribed to the transition between the ground (1 S0) and excited (3 P1) states of Bi3+ ion [1], later on described rather as a self-trapped exciton state based on Bi(GeO4)6 cluster [3]. Recent electronic band structure calculation points to the dominance of the absorption process from the oxygen 2p states (top of valence band) to Bi3+ 6p states (bottom of conduction band) [4], while the nature of the emission process is clearly based on the Bi3+ transition from 6p to 6s states mentioned above though the excitonic nature of the emission centers has been stressed as well [5].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนะนำ Bi4Ge3O12 (จี) ผลึกเดี่ยวใช้เป็นเครื่องตรวจจับอาร์กอนพลังงานสูง X และ c-เรย์ เดิม เสนอ โดยเวเบอร์และ Monchamp [1] กระดาษรีวิวที่อธิบายการเจริญเติบโตคริสตัล โครงสร้าง แสง เรืองแสงและอาร์กอนลักษณะผลึกเจือรวมทั้งเผยแพร่ในปลายทศวรรษ 1980 [2] มีการสนทนาค่อนข้างบางเกี่ยวกับธรรมชาติของกระบวนการดูดซึมและการปล่อยวัสดุนี้: มันได้รับการกำหนดประการแรกในการเปลี่ยนระหว่างพื้นดิน (1 S0) และตื่นเต้น (3 P1) รัฐของ Bi3 + ไอออน [1], หลังจากอธิบายไว้ค่อนข้างเป็นรัฐ exciton ติดเองตาม Bi (GeO4) 6 คลัสเตอร์ [3] การคำนวณโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์วงล่าไปครอบงำกระบวนการดูดซึมจากออกซิเจน p 2 รัฐ (ด้านบนของแถบวาเลนซ์) Bi3 + อเมริกา 6p (ด้านล่างของวงนำ) [4], ในขณะที่ธรรมชาติของกระบวนการปล่อยชัดเจนอิง Bi3 + การเปลี่ยนแปลงจาก 6p 6s อเมริกากล่าวว่า ลักษณะ excitonic ของศูนย์ปล่อยได้เน้นเช่นกัน [5]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทนำ Bi4Ge3O12 (BGO) ผลึกเดี่ยวจะมีการใช้อย่างกว้างขวางว่าเป็น X- พลังงานสูงและ C-ray ตรวจจับประกายเสนอเดิมโดย Weber และ Monchamp [1] กระดาษรีวิวอธิบายการเจริญเติบโตของผลึกโครงสร้างแสงเรืองแสงและประกายลักษณะรวมทั้งผลึกเจือถูกตีพิมพ์ในช่วงปลายทศวรรษ 1980 [2] มีได้รับค่อนข้างอภิปรายเกี่ยวกับธรรมชาติของการดูดซึมและการปล่อยกระบวนการในวัสดุนี้: มันได้รับการกำหนดประการแรกการเปลี่ยนแปลงระหว่างพื้นดิน (1 S0) และตื่นเต้น (3 P1) สหรัฐอเมริกา Bi3 + ไอออน [1] ในภายหลัง อธิบายไว้ค่อนข้างจะเป็นตัวเองติดอยู่รัฐ exciton ขึ้นอยู่กับ Bi (GeO4) 6 คลัสเตอร์ [3] จุดคำนวณโครงสร้างวงอิเล็กทรอนิกส์ล่าสุดเพื่อการครอบงำของกระบวนการดูดซึมจากออกซิเจน 2p รัฐ (ด้านบนของวง Valence) เพื่อ Bi3 + 6P รัฐ (ด้านล่างของการนำวงดนตรี) [4] ในขณะที่ลักษณะของขั้นตอนการปล่อยก๊าซเรือนกระจกจะขึ้นอย่างชัดเจนใน Bi3 + การเปลี่ยนแปลงจาก 6P เพื่อ 6S รัฐดังกล่าวข้างต้นแม้ว่าธรรมชาติ excitonic ของศูนย์การปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่ได้รับการเน้นเป็นอย่างดี [5]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แนะนำ bi4ge3o12 ( ทำ ) ผลึกเดี่ยวอย่างกว้างขวางใช้เป็นพลังงานสูง X - และเครื่องตรวจจับ c-ray ข้อมูลเดิมที่เสนอโดยเวเบอร์และ monchamp [ 1 ] รีวิวกระดาษอธิบายผลึกโครงสร้าง แสง การเปล่งแสงและลักษณะของข้อมูลรวมทั้งเจือผลึกที่ถูกตีพิมพ์ในปลายทศวรรษ 1980 [ 1 ] มีค่อนข้างบางอภิปรายเกี่ยวกับธรรมชาติของกระบวนการการดูดซึมและการปล่อยในวัสดุนี้จะได้รับคือหมวดการเปลี่ยนแปลงระหว่างพื้นดิน 1 ( Name ) และตื่นเต้น ( 3 P1 ) รัฐของ bi3 + ไอออน [ 1 ] ต่อมาอธิบายแทนที่จะเป็นตนเองติดสถานะ exciton ตามบี ( geo4 6 กลุ่ม [ 3 ] จุดคำนวณโครงสร้างกลุ่มอิเล็กทรอนิกส์ล่าสุดเพื่อการปกครองของกระบวนการจากการดูดซึมออกซิเจน 2p สหรัฐอเมริกา ( ด้านบนของเวเลนซ์แบนด์ ) bi3 + 6P สหรัฐอเมริกา ( ก้นนำวงดนตรี ) [ 4 ] , ในขณะที่ธรรมชาติของกระบวนการออกมาอย่างชัดเจน ตาม bi3 + เปลี่ยนจาก 6P เพื่อ 6S สภาพดังกล่าวข้างต้น แต่ธรรมชาติ excitonic ศูนย์เล็ดรอดถูกเน้นด้วย [ 5 ]