The I-V curve for all nanotubes in

The I-V curve for all nanotubes in Fig. 3(b) with diameters from 2.O to 5.1 nm were similar in shape and slope. Figure 4(b) shows the 1- V curve for the HOPG sub strate measured at the location indicated by the empty circle in Fig- 3 b A linear relationship is observed, as expected Semiconducting nanotubes were not observed. However, since I spectroscopy measures surface rather than bulk electronic structure, the presence of surface states on the nanotubes may produce 1 curves similar to those dis played here. In addition, energy band bending induced by the tunnel tip may yield a spectrum similar to that shown here Recently, it was reported, using STM imaging that carbon nanotubes with diameters of 5 nm deposited on a thin poly crystalline gold film on Si were semiconducting and had a band gap of 200 mv. 10 However it should be pointed out that thin polycrystalline gold films on Si have very poor conductivity for STM imaging at such low voltages and that p curves for the nanotubes were not measured Also observed in Fig. 3(a), near the regions labeled A, B, and C, arc nanometer-size rectangular structures which we dentity as graphene sheets. These structures are approxi mately 50 nm in width and several hundred nanometers in ength The heights of all of these structures were approxi with the thickness of four

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เส้น-V สำหรับ nanotubes ทั้งหมดในหมายรูปมีเส้นผ่าศูนย์กลางจาก 2.O เป็น 5.1 nm คล้ายกันในรูปร่างและความลาดชัน 4(b) รูปแสดงเส้น 1-V สำหรับ strate ย่อย HOPG ที่วัดที่ตำแหน่งที่ระบุ โดยวงกลมว่างในรูป - 3 b ความสัมพันธ์เชิงเส้นคือสังเกต เป็น nanotubes Semiconducting คาดถูกสังเกตเห็น อย่างไรก็ตาม ตั้งแต่ฉัน มิกวัดพื้นผิวแทนที่โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมาก ของอเมริกาผิวบน nanotubes อาจผลิต 1 เส้นโค้งคล้ายกับส่งเล่นนี่ พลังงานวงดัดเกิดจากปลายอุโมงค์อาจให้สเปกตรัมที่เหมือนกับที่แสดงที่นี่เร็ว ๆ นี้ มี รายงาน ใช้ STM ภาพ nanotubes คาร์บอนที่ มีเส้นผ่าศูนย์กลาง 5 nm ที่ฝากไว้บนโพลีบางผลึกทองภาพยนตร์บนศรีถูกตัว และมีช่องว่างวงของ 200 mv 10 อย่างไรก็ตาม มันควรจะชี้ให้เห็นว่า ภาพยนตร์บางคทองบนศรีมีค่าการนำไฟฟ้าที่ดีสำหรับรูป STM ที่แรงดันต่ำเช่น และยังว่า โค้ง p สำหรับการ nanotubes ถูกวัดย่อยในรูปพัฒนาการ ใกล้ที่ชื่อ A, B และ C อาร์คโครงสร้างสี่เหลี่ยมขนาดนาโนเมตรซึ่งเรา dentity เป็น graphene แผ่น โครงสร้างเหล่านี้จะ approxi mately 50 nm ในนาโนหลายร้อยเมตรใน ength และความกว้าง ความสูงของโครงสร้างเหล่านี้ทั้งหมดได้ approxi หนา 4

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอวีโค้งท่อนาโนทั้งหมดในรูป 3 (ข) มีเส้นผ่าศูนย์กลางจาก 2.O 5.1 นาโนเมตรมีความคล้ายคลึงกันในรูปร่างและความลาดชัน รูปที่ 4 (ข) แสดงให้เห็นถึง 1- V โค้งสำหรับ strate ย่อย HOPG วัดในสถานที่ที่ระบุโดยวงกลมว่างเปล่าในรูปที่ 3 B ความสัมพันธ์เชิงเส้นเป็นที่สังเกตเป็นไปตามคาดท่อนาโนสารกึ่งตัวนำที่ไม่ได้สังเกต อย่างไรก็ตามตั้งแต่ผมสเปกโตรสโกพื้นผิวมาตรการมากกว่าโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมากปรากฏตัวของรัฐบนพื้นผิวของท่อนาโนอาจผลิต 1 เส้นโค้งคล้ายกับเรื่องนี้ผู้เล่นที่นี่ นอกจากนี้วงพลังงานดัดที่เกิดจากปลายอุโมงค์อาจก่อให้คลื่นความถี่ที่คล้ายกับที่แสดงที่นี่เร็ว ๆ นี้มีรายงานการใช้การถ่ายภาพ STM ว่าท่อนาโนคาร์บอนที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง 5 นาโนเมตรวางอยู่บนฟิล์มโพลีผลึกทองบาง ๆ บนศรีถูกสารกึ่งตัวนำและ มีช่องว่างวง 200 MV 10 แต่มันควรจะชี้ให้เห็นว่าภาพยนตร์ทอง polycrystalline บางศรีมีการนำที่ดีมากสำหรับการถ่ายภาพ STM ที่แรงดันไฟฟ้าที่ต่ำดังกล่าวและว่าเส้นโค้ง P สำหรับท่อนาโนที่ถูกตั้งข้อสังเกตไม่ได้วัดนอกจากนี้ในรูป 3 (a) ซึ่งอยู่ใกล้กับภูมิภาคท​​ี่มีป้ายกำกับ A, B และ C โครงสร้างโค้งขนาดนาโนเมตรเป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าที่เรา dentity เป็นแผ่นกราฟีน โครงสร้างเหล่านี้เป็น approxi mately 50 นาโนเมตรความกว้างและหลายร้อยนาโนเมตรใน ength ความสูงทั้งหมดของโครงสร้างเหล่านี้มีความหนา approxi สี่