of the fiber preform was about 4 nm

of the fiber preform was about 4 nm in diameter (size distribution:
2.0 nm to 4.8 nm) obtained from the transmission electron
microscopy (TEM, FEI Tecnai G2 F30 S-TWIN) as shown
in Fig. 1, [19]. The TEM photograph clearly shows the morphology
of CdSe QDs in the optical fiber preform core retained
even after the high temperature MCVD process, which is crystalline,
to be roughly spherical without agglomeration. To verify
the existence of CdSe QDs in the CdSe doped optical fiber core
which was drawn from the preform at high temperature again,
the optical absorption spectrum of the CdSe QDs doped fiber
was measured. The absorption peaks due to CdSe QDs in the
fiber core was found to appear at 622 nm, 633 nm, and 662
nm as shown in Fig. 2. Note that the absorption spectrum with
multi-peaks was due to the size difference of the embedded QDs
as shown in Fig. 1 [21], which is also the evidence of the existence
of CdSe QDs in the fiber core after drawing the preform
into the fiber at high temperature of about 2150 . Absorption
coefficient of the fiber was about 0.0008 at 660 nm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ของเส้นใยมาสเตอร์แบทช์สีดำได้ประมาณ 4 nm เส้นผ่านศูนย์กลาง (ขนาดการกระจาย:2.0 nm ไป 4.8 nm) ได้รับจากการส่งผ่านอิเล็กตรอนmicroscopy (ยการ เฟย Tecnai G2 F30 S คู่) เป็นแสดงใน 1 Fig., [19] ภาพยการแสดงสัณฐานวิทยาชัดเจนของ QDs CdSe ในใยแก้วนำแสง preform หลักที่เก็บไว้แม้หลังจากมีอุณหภูมิสูงกระบวนการ MCVD ซึ่งเป็นผลึกเป็นทรงกลมอย่างคร่าว ๆ โดย agglomeration การตรวจสอบการดำรงอยู่ของ QDs CdSe ใน CdSe ที่ doped แกนใยแก้วนำแสงซึ่งมาจากมาสเตอร์แบทช์สีดำที่อุณหภูมิสูงอีกสเปกตรัมการดูดซึมแสงของใย doped CdSe QDsถูกวัด แห่งดูดซึมเนื่องจาก QDs CdSe ในการเส้นใยหลักพบ 622 nm, 633 nm และ 662nm ดังแสดงใน Fig. 2 หมายเหตุว่า สเปกตรัมดูดซึมด้วยยอดหลายที่ต่างขนาด QDs ฝังตัวเป็นการแสดงใน 1 Fig. [21], ซึ่งเป็นหลักฐานของการดำรงอยู่หรือไม่ของ QDs CdSe ในหลักไฟเบอร์หลังจากวาดนี้มาสเตอร์แบทช์สีดำเป็นเส้นใยที่อุณหภูมิสูงประมาณ 2150 การดูดซึมสัมประสิทธิ์ของเส้นใยถูกประมาณ 0.0008 ที่ 660 nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ของ preform เส้นใยประมาณ 4 นาโนเมตรเส้นผ่าศูนย์กลาง (การกระจายขนาด:
2.0 นาโนเมตร 4.8 นาโนเมตร)
ที่ได้รับจากการส่งผ่านอิเล็กตรอนกล้องจุลทรรศน์(TEM, เฟ Tecnai G2 F30 S-TWIN)
ดังแสดงในรูปที่ 1 [19] ภาพถ่าย TEM
แสดงให้เห็นชัดเจนสัณฐานของCdSe QDS ใน preform
ใยแก้วนำแสงหลักยังคงอยู่แม้หลังจากที่อุณหภูมิสูงกระบวนการMCVD
ซึ่งเป็นผลึกที่จะเป็นรูปทรงกลมโดยไม่ต้องรวมตัวกัน เมื่อต้องการตรวจสอบการดำรงอยู่ของ CdSe QDS ใน CdSe เจือแกนใยแก้วนำแสงซึ่งถูกดึงออกมาจากpreform ที่อุณหภูมิสูงอีกครั้งสเปกตรัมดูดกลืนแสงของQDS CdSe ใยเจือวัด ยอดการดูดซึมเนื่องจาก CdSe QDS ในแกนเส้นใยถูกพบไปปรากฏตัวที่622 นาโนเมตร 633 นาโนเมตรและ 662 นาโนเมตรดังแสดงในรูป 2. ทราบว่าสเปกตรัมการดูดซึมที่มียอดเขาหลายเป็นเพราะความแตกต่างของขนาดของQDS ฝังตัวดังแสดงในรูป 1 [21] ซึ่งเป็นหลักฐานของการดำรงอยู่ของCdSe QDS เส้นใยหลักหลังจากวาด preform เป็นเส้นใยที่มีอุณหภูมิสูงประมาณ 2,150 การดูดซึมค่าสัมประสิทธิ์ของเส้นใยประมาณ 0.0008 ที่ 660 นาโนเมตร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ของเส้นใย preform ประมาณ 4 นาโนเมตร ( การกระจายขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง :
2.0 nm 4.8 nm ) ที่ได้จากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( TEM เฟย tecnai
, G2 F30 s-twin ) ดังแสดงในรูปที่ 1
, [ 19 ] เต็มๆ ภาพแสดงให้เห็นชัดเจน ลักษณะของควอนตัมด็อต
cdse ในเส้นใยแสง preform แกนเก็บไว้
แม้อุณหภูมิสูง mcvd กระบวนการ ซึ่งผลึก
เป็นทรงกลมโดยการประมาณ . เพื่อตรวจสอบการมีอยู่ของควอนตัมด็อต
cdse ใน cdse ด้วยเส้นใยแสงหลัก
ซึ่งถูกวาดจาก preform ที่อุณหภูมิสูงอีกครั้ง
การดูดซึมสเปกตรัมแสงของ cdse ควอนตัมด็อตด้วยไฟเบอร์
เป็นวัด การดูดซึมยอดเนื่องจาก cdse ควอนตัมด็อตใน
ไฟเบอร์แกนพบปรากฏใน 622 nm , 633 nm และ 662
nm ดังแสดงในรูปที่ 2หมายเหตุว่า การดูดซึมสเปกตรัมกับ
หลายยอด เนื่องจากความแตกต่างของขนาดฝังตัวควอนตัมด็อต
ดังแสดงในรูปที่ 1 [ 21 ] ซึ่งยังมีหลักฐานของการดำรงอยู่ของควอนตัมด็อต
cdse ในเส้นใยหลักหลังจากวาด preform
เป็นเส้นใยที่อุณหภูมิสูงของเกี่ยวกับ 2 , 150 . สัมประสิทธิ์การดูดกลืน
ของไฟเบอร์ที่เกี่ยวกับยว
660 นาโนเมตร