Fig. 1 schematically shows the comb

Fig. 1 schematically shows the combinatorial TiO2/Cu2O heterojunction
device library approach. FTO covered glass substrates
served as a joint front electrode onto which the TiO2 layer was
deposited with a linear thickness gradient parallel to the x-axis
(Fig. 1a) followed by the Cu2O absorber with a linear gradient
parallel to the y-axis (Fig. 1b) leading to a total heterojunction
thickness profile with a diagonal thickness gradient (Fig. 1c). The
left hand side in Fig. 1 shows a schematic representation, while
thickness data derived from optical measurements are shown on
the right hand side. The TiO2 thickness was ranging from 60 to
320 nm, while the Cu2O layer was between 180 to 580 nm thick.
Structural analysis was carried out before deposition of the Ag
back contacts by X-ray diffraction measurements (XRD) showing
clear peaks of Cu2O, TiO2 (anatase) and SnO2 which originated
from the FTO substrate (Supporting Information). SEM images
were recorded at different locations of the library corresponding to

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 1 schematically แสดง heterojunction TiO2/Cu2O ปัญหาอุปกรณ์วิธีการไลบรารี FTO ครอบคลุมพื้นผิวแก้วเป็นไฟฟ้าหน้าร่วมที่ถูกชั้น TiO2ฝากไว้กับการไล่ระดับความหนาของเส้นที่ขนานกับแกน x(Fig. 1a) ตาม ด้วยวิบาก Cu2O ด้วยการไล่ระดับสีแบบเส้นตรงขนานกับแกน y (Fig. 1b) นำไป heterojunction รวมโพรไฟล์ความหนากับความหนาของเส้นทแยงมุมไล่กิน 1c) ที่ขณะที่ด้านซ้ายมือ Fig. 1 แสดงแสดงแผนผังวงจรข้อมูลความหนาที่ได้จากการวัดแสงจะแสดงบนด้านขวามือ ความหนาของ TiO2 มีตั้งแต่ 60 ถึง320 nm ขณะที่ชั้น Cu2O อยู่ระหว่าง 180-580 nm หนาการวิเคราะห์โครงสร้างถูกดำเนินการก่อนที่จะสะสมของ Agติดต่อกลับไป โดยวัดการเลี้ยวเบนการเอ็กซ์เรย์ (XRD) แสดงล้างยอดของ Cu2O, TiO2 (anatase) และ SnO2 ซึ่งมาจาก substrate FTO (สนับสนุนข้อมูล) ภาพ SEMบันทึกสถานที่ต่าง ๆ กันของไลบรารีที่สอดคล้องกับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 1 แผนผังแสดง combinatorial TiO2 / Cu2O เฮเทอโร
แนวทางห้องสมุดอุปกรณ์ FTO ปกคลุมพื้นผิวแก้ว
ทำหน้าที่เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหน้าร่วมกันบนที่ชั้น TiO2 ถูก
ฝากไว้กับการไล่ระดับความหนาของเส้นตรงขนานกับแกน x
(รูป. 1a) ตามด้วยโช้ค Cu2O กับลาดเชิงเส้น
คู่ขนานกับแกน y (รูปที่ . 1b) ที่นำไปสู่เฮเทอโรรวม
รายละเอียดความหนาที่มีการไล่ระดับความหนาของเส้นทแยงมุม (รูป. 1c)
ด้านซ้ายมือในรูป 1 แสดงแผนผังแสดงในขณะที่
ความหนาของข้อมูลที่ได้จากการวัดแสงจะถูกแสดงบน
ด้านขวามือ ความหนาของ TiO2 ถูกตั้งแต่ 60 ถึง
320 นาโนเมตรในขณะที่ชั้น Cu2O อยู่ระหว่าง 180-580 นาโนเมตรหนา.
วิเคราะห์โครงสร้างได้ดำเนินการก่อนที่จะสะสมของ Ag
กลับรายชื่อโดยการวัด X-ray diffraction (XRD) แสดงให้เห็น
ยอดเขาที่ชัดเจนของ Cu2O, TiO2 (แอนาเทส) และ SnO2 ที่เกิด
จากพื้นผิว FTO (สนับสนุนข้อมูล) ภาพ SEM
ถูกบันทึกไว้ในสถานที่ที่แตกต่างกันของห้องสมุดที่สอดคล้องกับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 แผนผังแสดงการ TiO2 / cu2o heterojunction
อุปกรณ์ห้องสมุด ) FTO ปกคลุมพื้นผิวแก้ว
ทำหน้าที่ร่วมขั้วบนหน้าซึ่ง TiO2 ชั้น
ฝากไว้กับการไล่ระดับความหนาเป็นเส้นตรงขนานกับแกน x
( รูปที่ 1A ) รองลงมา คือ โช้ค cu2o กับ
ลาดเส้นตรงขนานกับแกน Y ( รูปที่ 1A ) นําไป
heterojunction ทั้งหมดความหนาของการไล่ระดับความหนาของเส้นทแยงมุม ( ภาพที่ 1c )
ขวามือในรูปที่ 1 แสดงให้เห็นการแสดงแผนผัง , ในขณะที่ข้อมูลที่ได้จากการวัดความหนา

แสงแสดงบนด้านขวามือ การ ) ความหนาตั้งแต่ 60

320 nm , ในขณะที่ cu2o ชั้นอยู่ระหว่าง 180 กับ 580 nm หนา .
การวิเคราะห์โครงสร้างถูกออกก่อนการตกสะสมของ AG
กลับมาที่ติดต่อ โดยการวัดการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ ( XRD ) แสดง
ยอดที่ชัดเจนของ cu2o ( anatase TiO2 , ) และ SnO2 ซึ่งมีต้นกำเนิดจาก FTO (
( สนับสนุนข้อมูล ) จากภาพ
ที่ถูกบันทึกไว้ในสถานที่ต่างของห้องสมุดให้สอดคล้องกับ