TMAH Etching of Silicon - 1• Tetra

TMAH Etching of Silicon - 1
• Tetra Methyl Ammonium Hydroxide
• MOS/CMOS compatible:
– No alkali metals {Li, Na, K, … }.
– Used in positive photoresist developers which do not use choline.
– Does not significantly etch SiO2 or Al! (Bond wire safe!)
• Anisotropy: (111):(100) ~ 1:10 to 1:35
• Typical recipe:
– 250 mL TMAH (25% from Aldrich)
– 375 mL H2O
– 22 g Si dust dissolved into solution
– Use at 90°C
– Gives about 1 mm/min etch rate
• Hydroxide etches are generally safe and predictable, but
they usually involve an alkali metal which makes them
incompatible with MOS or CMOS processing.
• Ammonium hydroxide (NH4OH) is one hydroxide which
is free of alkali metal, but it is really ammonia which is
dissolved into water. Heating to 90°C for etching will
rapidly evaporate the ammonia from solution.
• Ballasting the ammonium hydroxide with a less volatile
organic solves the problem:
– Tetramethyl ammonium hydroxide: (CH3)4NOH
– Tetraethyl ammonium hydroxide: (C2H5)4NOH

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TMAH กัดซิลิคอน - 1• Tetra Methyl แอมโมเนียไฮดรอกไซด์• MOS/CMOS เข้ากันได้:– ไม่ด่างโลหะ {Li, Na, K,...}– ใช้ในพัฒนา photoresist บวกซึ่งไม่ใช้ choline-ไม่มากกัด SiO2 หรืออัล (พันธะปลอดภัยสาย)• Anisotropy: (111):(100) ~ 1:10 1:35•โดยทั่วไปสูตร:– 250 mL TMAH (25% จาก Aldrich)-375 mL H2O– g 22 ศรีฝุ่นส่วนยุบลงในโซลูชัน-ใช้ที่ 90° C– ให้เกี่ยวกับ 1 mm/min กัดอัตรา•ไฮดรอกไซด์ etches โดยทั่วไปปลอดภัย และคาดเดา ได้ แต่พวกเขามักจะเกี่ยวข้องกับการโลหะแอลคาไลซึ่งทำให้พวกเขาเข้ากันกับ MOS หรือ CMOS ประมวลผล•แอมโมเนียไฮดรอกไซด์ (NH4OH) เป็นไฮดรอกไซด์หนึ่งซึ่งเป็นอิสระของโลหะแอลคาไล แต่มัน เป็นแอมโมเนียซึ่งเป็นส่วนยุบลงไปในน้ำ ความร้อนถึง 90° C สำหรับการแกะสลักจะอย่างรวดเร็วระเหยแอมโมเนียจากโซลูชัน• Ballasting ไฮดรอกไซด์แอมโมเนียกับการระเหยน้อยอินทรีย์แก้ปัญหา:-Tetramethyl แอมโมเนียไฮดรอกไซด์: (CH3) 4NOH-เตตร้าแอมโมเนียไฮดรอกไซด์: 4NOH (C2H5)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

TMAH กัดของ Silicon - 1
• Tetra
เมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซ• MOS / CMOS ที่รองรับ:
-. ไม่มีโลหะอัลคาไล {หลี่นา, K, ...
}. - ใช้ในการพัฒนาสารไวแสงในเชิงบวกซึ่งไม่ได้ใช้โคลีน
- ไม่อย่างมีนัยสำคัญกัด SiO2 หรือ อัล! (! ลวดบอนด์ปลอดภัย)
• Anisotropy: (111) :( 100) ~ 1:10-01:35
•สูตรทั่วไป:
- 250 มิลลิลิตร TMAH (25% จากดิช)
- 375 มิลลิลิตร H2O
- 22 กรัมฝุ่นศรีละลายลงในสารละลาย
- การใช้งานที่ 90 ° C
- ให้ประมาณ 1 มิลลิเมตร /
นาทีอัตราการกัด• Etches ไฮดรอกไซมักจะมีความปลอดภัยและสามารถคาดเดาได้
แต่พวกเขามักจะเกี่ยวข้องกับโลหะอัลคาไลซึ่งทำให้พวกเขา.
เข้ากันไม่ได้กับการประมวลผล MOS หรือ CMOS
•ไฮดรอกไซแอมโมเนียม (NH4OH) เป็นหนึ่งในไฮดรอกไซ
ซึ่งเป็นอิสระจากโลหะด่าง
แต่จริงๆแอมโมเนียซึ่งจะละลายลงไปในน้ำ ร้อนถึง 90
องศาเซลเซียสจะแกะสลักอย่างรวดเร็วระเหยแอมโมเนียจากการแก้ปัญหา. •ถ่วงน้ำหนักไฮดรอกไซแอมโมเนียมที่มีความผันผวนน้อยกว่าแก้อินทรีย์ปัญหา: - แอมโมเนียมไฮดรอกไซ tetramethyl (CH3) 4NOH - แอมโมเนียมไฮดรอกไซ tetraethyl (C2H5) 4NOH

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

tmah ภาพซิลิคอน - 1
- เตตร้าเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์
- มอส / CMOS เข้ากันได้ :
รวมทั้งโลหะแอลคาไล { Li , Na , K , . . . } .
–ใช้ในเชิงบวกในระบบนักพัฒนาซึ่งไม่ใช้โคลีน .
- ความไม่ etch SiO2 หรืออัล ( สายพันธบัตรที่ปลอดภัย !
- แอนไอโซโทรปี ( 111 ) : ( 100 ) ~ 1 : 10 1 : 35
-
) สูตรทั่วไป : 250 ml . tmah ( 25 % จากดิช )

( 375 ml H2O- 22 กรัม ละลายในสารละลายซิฝุ่น– 90 ° C ใช้

) ให้ประมาณ 1 mm / min อัตรา
- โซดาไฟกัดเคทูดสามารถถูกกัดโดยทั่วไปจะปลอดภัยและคาดเดา แต่พวกเขามักจะเกี่ยวข้องกับ
โลหะแอลคาไล ซึ่งทำให้พวกเขา
เข้ากันไม่ได้กับมอส หรือประมวลผล CMOS
- แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ ( nh4oh ) คือโซดาไฟ ซึ่ง
ฟรีของโลหะแอลคาไล แต่เป็นแอมโมเนียซึ่ง
ที่ละลายในน้ำความร้อนถึง 90 ° C แกะสลักจะ
การระเหยอย่างรวดเร็วแอมโมเนียจากสารละลาย .
- ballasting แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์กับอินทรีย์ระเหยน้อย

) ผลแก้ปัญหา : แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ ( CH3 ) เททระเอทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และ 4noh
( c2h5 ) 4noh