Radiation induced non-bridging oxyg

Radiation induced non-bridging oxygen quasi molecular center,
possesses zero phonon line and phonon repetition of this line at
low temperature. The parameters of phonon repetition band correspond
to non-bridging oxygen connected with silicon and not
with phosphorus.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รังสีเกิดกาลไม่ใช่ออกซิเจนเสมือนโมเลกุลเซ็นเตอร์มีบรรทัด phonon และ phonon ซ้ำบรรทัดนี้ที่ศูนย์อุณหภูมิต่ำ พารามิเตอร์ของวง phonon ซ้ำตรงให้ออกซิเจนที่ไม่เชื่อมโยงกับซิลิคอน และไม่มีฟอสฟอรัส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รังสีเหนี่ยวนำให้เกิดการเชื่อมโยงที่ไม่ออกซิเจนเสมือนศูนย์โมเลกุลมีเส้นศูนย์ phonon phonon และการทำซ้ำของสายนี้ที่มีอุณหภูมิต่ำ พารามิเตอร์ของวงซ้ำ phonon ตรงออกซิเจนที่ไม่ใช่การแก้ที่เกี่ยวข้องกับซิลิกอนและไม่ได้มีฟอสฟอรัส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสีปลอดออกซิเจนโมเลกุลเชื่อมกึ่งกลาง
ครอบครองศูนย์ Phonon สายๆ Phonon ของบรรทัดนี้ที่
ที่อุณหภูมิต่ำ พารามิเตอร์ของวงการ Phonon สอดคล้อง
ไม่เชื่อมต่อกับซิลิคอนออกซิเจนและไม่
กับฟอสฟอรัส