be due to a poor compatibility betw

be due to a poor compatibility between AlN and silicone rub-ber. However, for the case of silicone rubber filled SiOC/AlNairand SiONC/AlN(Ar, N2and NH3), it was observed that the modifiedAlN particles were embedded in silicone rubber matrix and therewas no clear evidence of particle-matrix debonding as shown inFig. 6(b)–(e), suggesting the relatively strong interfacial bondingand good compatibility between the modified AlN and siliconerubber matrix. EDS analysis of the fractured surface of siliconerubber filled untreated AlN and the modified AlN also providedto identify silicone rubber matrix and AlN particle in the com-posites, as shown in supporting information S1. Therefore, itcan be implied that the formation of amorphous SiOCairandSiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films on AlN surface help improvedthe interfacial adhesion between silicone rubber and AlN, and con-sequently enhanced the thermal conductivity of silicone rubbercomposites.In the present work, SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)filmswere applied on sapphire wafer in order to investigate howpyrolysis atmosphere affect to the formation of SiOCairandSiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films on AlN surface. SiOCairandSiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films morphology on sapphire waferwas investigated by AFM. AFM Topography images of SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)films on sapphire wafer were shown inFig. 7(a)–(d) with the scanned area of 2 m × 2 m. It was observedthat SiONCN2ceramic film morphology revealed small cluster ofspherical particles uniformly coated on the sapphire wafer surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีสาเหตุมาจากความเข้ากันได้ดีระหว่าง AlN และซิลิโคนถู ber อย่างไรก็ตาม สำหรับกรณีของยางซิลิโคนเต็มไป SiOC/AlNairand SiONC/AlN(Ar, N2and NH3) มันถูกตรวจสอบว่า อนุภาค modifiedAlN ถูกฝังอยู่ในเมตริกซ์ยางซิลิโคนและ therewas ไม่ล้างหลักฐานของ debonding เป็น inFig แสดงเมตริกซ์อนุภาค 6(b)–(e) แนะนำกันดี bondingand interfacial ค่อนข้างแข็งแรงระหว่าง AlN แก้ไขและเมตริกซ์ siliconerubber วิเคราะห์ EDS ของพื้น fractured siliconerubber เติม AlN ไม่ถูกรักษาและ AlN แก้ไขยัง providedto ระบุเมตริกซ์ยางซิลิโคนและอนุภาค AlN ใน com-posites ดังที่แสดงในการสนับสนุนข้อมูล S1 ดังนั้น itcan เป็นนัยว่า การก่อตัวของฟิล์มเซรามิค SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) ไปบน AlN ช่วยผิว improvedthe interfacial ยึดติดระหว่างยางซิลิโคน AlN และคอน sequently เพิ่มการนำความร้อนของซิลิโคน rubbercomposites ในงานนำเสนอ ใช้กับแซฟไฟร์แผ่นเวเฟอร์เพื่อตรวจสอบบรรยากาศ howpyrolysis filmswere SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3) มีผลต่อการก่อตัวของ SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) เซรามิกฟิล์มบนพื้นผิว AlN สัณฐานวิทยาฟิล์มเซรามิค SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) ในระหว่างสอบสวน โดย AFM waferwas แซฟไฟร์ ภาพภูมิประเทศ AFM ของฟิล์ม SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3) บนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ได้แสดง inFig 7(a)–(d) มีพื้นที่สแกน 2 × 2 เมตร Observedthat SiONCN2ceramic ฟิล์มสัณฐานวิทยาเปิดเผยอนุภาค ofspherical คลัสเตอร์ขนาดเล็กที่เคลือบบนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์สม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จะเกิดจากการทำงานร่วมกันระหว่างคนจน ALN และซิลิโคนถูเบอร์ แต่สำหรับกรณีของยางซิลิโคนที่เต็มไป SiOC / AlNairand SiONC / ALN (Ar, N2and NH3) ก็พบว่าอนุภาค modifiedAlN ถูกฝังอยู่ในเมทริกซ์และยางซิลิโคน therewas ไม่มีหลักฐานที่ชัดเจนของ debonding อนุภาคแมทริกซ์ที่แสดง inFig 6 (ข) - (จ) ชี้ให้เห็นการทำงานร่วมกันสัมผัสค่อนข้างแข็งแกร่ง bondingand ที่ดีระหว่าง ALN แก้ไขและเมทริกซ์ siliconerubber EDS วิเคราะห์ของพื้นผิวร้าวของ siliconerubber เต็มไป ALN ได้รับการรักษาและการแก้ไข ALN ยัง providedto ระบุเมทริกซ์ยางซิลิโคนและอนุภาค ALN ในคอม posites ดังแสดงในการสนับสนุนข้อมูล S1 ดังนั้น itcan จะส่อให้เห็นว่าการก่อตัวของสัณฐาน SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์เซรามิกบนพื้นผิวช่วยเหลือ ALN improvedthe ยึดติดระหว่างยางซิลิโคนและ ALN และนักโทษ-sequently เพิ่มการนำความร้อนจากซิลิโคน rubbercomposites.In ทำงานปัจจุบัน SiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) filmswere ใช้กับเวเฟอร์แซฟไฟร์เพื่อตรวจสอบบรรยากาศ howpyrolysis ส่งผลกระทบต่อการก่อตัวของ SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์บนพื้นผิวเซรามิก ALN SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) สัณฐานภาพยนตร์เซรามิกไพลิน waferwas ตรวจสอบโดย AFM AFM ภาพภูมิประเทศของ SiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์บนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ที่มีการแสดง inFig 7 (ก) - (ง) มีพื้นที่สแกน× 2 เมตร 2 เมตร มันเป็น observedthat สัณฐานภาพยนตร์ SiONCN2ceramic เปิดเผยอนุภาค ofspherical กลุ่มเล็ก ๆ ที่เคลือบบนพื้นผิวสม่ำเสมอเวเฟอร์แซฟไฟร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเพราะความเข้ากันได้ระหว่าง ALN ยากจนและผนวดซิลิโคน อย่างไรก็ตาม สำหรับกรณีของซิลิโคน ยางเต็ม sioc / alnairand sionc / ALN ( AR , n2and nh3 ) พบว่า modifiedaln อนุภาคที่ถูกฝังอยู่ในเมทริกซ์ ยาง ซิลิโคน และไม่มีหลักฐานที่ชัดเจนของการหลุดล่อนของเมทริกซ์เป็น infig . 6 ( b ) และ ( E )แนะนำที่ค่อนข้างแข็งแรงดี ( bondingand เข้ากันได้ระหว่างแก้ไข และ siliconerubber ALN เมทริกซ์ การศึกษาการวิเคราะห์พื้นผิวแตกของ siliconerubber เต็ม ALN ดิบและแก้ไข ALN ยังเมทริกซ์ที่มีภาวะระบุยางซิลิโคนและ ALN อนุภาคใน com posites ดังแสดงในข้อมูลสนับสนุน S1 . ดังนั้นอาจเป็นนัยว่า การก่อตัวของสัณฐาน siocairandsionc ( AR , n2and nh3 ) ฟิล์มบนพื้นผิวเซรามิก ALN ( improvedthe ช่วยการยึดเกาะระหว่างยางซิลิโคนและ ALN , และคอน sequently ปรับปรุงการนำความร้อนของซิลิโคน rubbercomposites ในงานปัจจุบัน siocairand sionc ( อาร์n2and nh3 ) ฟิล์มที่ใช้กับเวเฟอร์แซฟไฟร์เพื่อศึกษาบรรยากาศ howpyrolysis มีผลต่อการก่อตัวของ siocairandsionc ( AR , n2and nh3 ) ฟิล์มเซรามิคบนพื้นผิว ALN . siocairandsionc ( AR , n2and nh3 ) สัณฐานฟิล์มเซรามิคในแซฟไฟร์ waferwas AFM สอบสวน . AFM ภูมิประเทศภาพ siocairand sionc ( AR , n2and nh3 ) ภาพยนตร์บนเวเฟอร์แซฟไฟร์ถูกแสดง infig .7 ( a ) และ ( d ) ด้วยการสแกนพื้นที่ 2  m × 2  เมตร เป็นลักษณะฟิล์ม sioncn2ceramic observedthat พบอนุภาคขนาดเล็ก ofspherical กลุ่มอย่างสม่ำเสมอเคลือบ Sapphire แผ่นพื้นผิว