A 350 W xenon light source (ShangHa

A 350 W xenon light source (ShangHai) was used to provide the J-V curves under an incident irradiance of AM 1.5G (100 mW/cm2) for solar cells. EIS analyses were conducted with the bias voltage set at an applied voltage of 0.8 V and the frequency set from 0.1 Hz to 100 kHz with oscillation amplitude of 5 mV at AM 1.5G (100 mW/cm2).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้ 350 W ซีนอนแสง (เซี่ยงไฮ้) ให้โค้ง J V ภายใต้ irradiance การเหตุการณ์ของ AM 1.5G (100 mW/cm2) สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ วิเคราะห์ EIS ได้ดำเนินการ โดยตั้งแรงดันไฟฟ้ามีแรงดันที่ใช้ 0.8 V และความถี่ที่ตั้งจาก 0.1 Hz ถึง 100 kHz ด้วยคลื่นสั่น 5 mV ที่ AM 1.5G (100 mW/cm2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

350 W แหล่งกำเนิดแสงซีนอน (เซี่ยงไฮ้) ถูกนำมาใช้เพื่อให้เส้นโค้งร่วมทุนภายใต้รังสีเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นของ AM 1.5G (100 mW / cm2) สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ วิเคราะห์ EIS ได้ดำเนินการกับแรงดันไบอัสที่ตั้งไว้ที่แรงดันไฟฟ้าที่ใช้ 0.8 V และความถี่ที่กำหนดจาก 0.1 Hz ถึง 100 เฮิร์ทซ์ที่มีการสั่นของคลื่น 5 mV ที่ AM 1.5G (100 mW / cm2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

350 W XENON Light Source ( เซี่ยงไฮ้ ) ถูกนำมาใช้เพื่อให้ j-v โค้งภายใต้เหตุการณ์ดังกล่าวของเป็น 1.5G ( 100 mW / cm2 ) สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ การวิเคราะห์เชิงบูรณาการกับความต่างศักย์ที่ใช้แรงดันตั้ง 0.8 V และความถี่ ตั้ง 0.1 Hz ถึง 100 kHz กับการแกว่งแอมปลิจูดของ 5 MV ที่เป็น 1.5G ( 100 mW / cm2 )