A PIN diode obeys the standard diod

A PIN diode obeys the standard diode equation for low frequency signals. At higher frequencies, the diode looks like an almost perfect (very linear, even for large signals) resistor. There is a lot of stored charge in the intrinsic region. At low frequencies, the charge can be removed and the diode turns off. At higher frequencies, there is not enough time to remove the charge, so the diode never turns off. The PIN diode has a poor reverse recovery time.

The high-frequency resistance is inversely proportional to the DC bias current through the diode. A PIN diode, suitably biased, therefore acts as a variable resistor. This high-frequency resistance may vary over a wide range (from 0.1 Ω to 10 kΩ in some cases;[1] the useful range is smaller, though).

The wide intrinsic region also means the diode will have a low capacitance when reverse-biased.

In a PIN diode, the depletion region exists almost completely within the intrinsic region. This depletion region is much larger than in a PN diode, and almost constant-size, independent of the reverse bias applied to the diode. This increases the volume where electron-hole pairs can be generated by an incident photon. Some photodetector devices, such as PIN photodiodes and phototransistors (in which the base-collector junction is a PIN diode), use a PIN junction in their construction.

The diode design has some design trade-offs. Increasing the dimensions of the intrinsic region (and its stored charge) allows the diode to look like a resistor at lower frequencies. It adversely affects the time needed to turn off the diode and its shunt capacitance. It is therefore necessary to select a device with the appropriate properties for a particular use.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอด PIN ปฏิบัติสมการมาตรฐานไดโอดสำหรับสัญญาณความถี่ต่ำ ที่ความถี่สูง ไดโอดมีลักษณะที่เกือบจะสมบูรณ์แบบ (เชิงเส้นมาก แม้สำหรับสัญญาณขนาดใหญ่) ตัวต้านทาน มีจำนวนมากค่าเก็บไว้ในภูมิภาค intrinsic ความถี่ต่ำ สามารถออกค่าธรรมเนียม และไดโอดจะปิด ที่ความถี่สูง ไม่มีเวลาพอที่จะเอาค่า ดังนั้นไดโอดจะไม่เคยปิด ไดโอด PIN ได้ฟื้นดีย้อนหลังความต้านทานความถี่สูงเป็นสัดส่วนตรงกันข้ามกับอคติ DC ปัจจุบันผ่านไดโอด ไดโอด PIN ลำเอียง เหมาะสมทำหน้าที่เป็นตัวต้านทานแปรดังนั้น ต้านทานความถี่สูงนี้อาจเปลี่ยนแปลงช่วงกว้าง (จากΩ 0.1 ถึง 10 kΩ ในบางกรณี; [ 1] ประโยชน์ช่วงมีขนาดเล็ก แม้ว่า)ภูมิภาค intrinsic กว้างหมายถึง การไดโอดจะมีความจุต่ำเมื่อกลับลำเอียงใน PIN ไดโอด ภูมิภาคสูญเสียมีอยู่เกือบสมบูรณ์ในภูมิภาค intrinsic ภูมิภาคนี้สูญเสียคือขนาดใหญ่กว่าใน PN ไดโอด และเกือบคงขนาด เป็นอิสระจากอคติย้อนกลับที่ใช้กับไดโอด ระดับเสียงที่สามารถสร้างคู่อิเล็กตรอนหลุม โดยโฟตอนเกิดขึ้น อุปกรณ์ photodetector บาง เช่น PIN photodiodes และ phototransistors (ซึ่งเก็บรวบรวมฐานแยกเป็นไดโอด PIN), ใช้แยก PIN ในการก่อสร้างการออกแบบไดโอดมีบางดีไซน์-พลวง เพิ่มขนาดของภูมิภาคแท้จริง (และประจุเก็บไว้) ทำให้ไดโอดให้เหมือนตัวต้านทานที่ความถี่ต่ำ มันมีผลต่อเวลาที่ต้องปิดไดโอดและความจุของ shunt จึงจำเป็นต้องเลือกอุปกรณ์ที่ มีคุณสมบัติเหมาะสมสำหรับการใช้เฉพาะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขาไดโอดเชื่อฟังสมการไดโอดมาตรฐานสำหรับสัญญาณความถี่ต่ำ ที่ความถี่สูงขึ้น ไดโอดเหมือนเกือบจะสมบูรณ์แบบมาก ( แม้แต่สัญญาณเชิงเส้นใหญ่ ) . . มีมากของการเก็บค่าธรรมเนียมในพื้นที่ที่แท้จริง ที่ความถี่ต่ำ ค่าใช้จ่ายที่สามารถถอดออกและไดโอดจะปิด ที่ความถี่สูง มีเวลาไม่เพียงพอที่จะลบค่าใช้จ่าย ดังนั้นไดโอดไม่เคยปิด พินไดโอดมีคนจนกลับเวลาการกู้คืนความต้านทานสูงความถี่เป็นสัดส่วนผกผันกับ DC bias กระแสผ่านตัวไดโอด ขาไดโอด , ลำเอียงอย่างเหมาะสม จึงทำหน้าที่เป็นตัวแปร . นี้ใช้ความต้านทานอาจแตกต่างกันไปหลากหลาย ( จาก 0.1 Ω 10 K Ωในบางกรณี ; [ 1 ] ช่วงประโยชน์มีขนาดเล็ก แต่ )พื้นที่ภายในกว้าง ยังหมายถึงไดโอดจะมีความจุต่ำเมื่อย้อนกลับลำเอียงในขาไดโอด , การเขตมีอยู่เกือบสมบูรณ์ภายในภูมิภาคที่แท้จริง ของภูมิภาคนี้มีขนาดใหญ่กว่าในช่วงเกือบคงที่ ขนาดไดโอด และเป็นอิสระจากอคติย้อนกลับไปใช้ไดโอด นี้จะเพิ่มปริมาณที่หลุมคู่อิเล็กตรอนจะถูกสร้างโดยเหตุการณ์โฟตอน . บางอุปกรณ์รับแสงและโฟโตดีเทกเตอร์ เช่น ขา phototransistors ( ซึ่งในการเก็บฐานแยกเป็นขาไดโอด ) ใช้ pin Junction ในการก่อสร้างของพวกเขาไดโอดแบบมีค้าชอบออกแบบ การเพิ่มขนาดของพื้นที่ภายใน ( และชาร์จเก็บไว้ ) ให้ใช้เหมือนตัวต้านทานที่ความถี่ต่ำ มันมีผลกระทบต่อเวลาที่จำเป็นในการปิดของไดโอดและการสับเปลี่ยนความจุ . จึงจำเป็นอย่างยิ่งที่จะต้องเลือกอุปกรณ์ที่มีคุณสมบัติเหมาะสมสำหรับการใช้ที่เฉพาะเจาะจง