From our simulation it is originate

From our simulation it is originated that, the efficiency of

solar cell increases with the increase of band-gap of the

absorber layer. As the band-gap of CIGS absorber layer varied

from 1.02 to 1.5eV, the solar cell efficiency increased from

13.99 to 24.24%. The open-circuit voltage (Voc) is also

increased from 0.53 to 1.40V as the recombination current

falls. It is mainly depends on the saturation current 10, Further

increase in CIGS band-gap has no significant effect on these

parameters. Again, it has very little effect on short-circuit

current density (Jsc).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จากที่เราจำลอง มันจะมาที่ ประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของช่องว่างวงของการ ชั้นดูดซับ เป็นแถบช่องว่างของชั้นดูดซับ CIGS ที่แตกต่างกัน จาก 1.02 เป็น 1.5 eV เพิ่มประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์จาก 13.99 24.24% แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc) ก็ เพิ่มขึ้นจาก 0.53 1.40V เป็น recombination ปัจจุบัน ตก มันเป็นส่วนใหญ่ขึ้นกับความเข้ม 10 ปัจจุบัน เพิ่มเติม เพิ่มช่องว่างวง CIGS ได้ไม่มีผลสำคัญเหล่านี้ พารามิเตอร์ อีกครั้ง มีน้อยมากต่อการลัดวงจร ความหนาแน่นของกระแส (Jsc)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จากการจำลองของเรามันจะเกิดขึ้นว่าประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของวงดนตรีช่องว่างของชั้นโช้ค ในฐานะที่เป็นวงช่องว่างของชั้นโช้ค CIGS ที่แตกต่างกันจาก 1.02 ไป 1.5eV ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มขึ้นจาก13.99% เพื่อ 24.24 เปิดวงจรไฟฟ้าแรง (VOC) นอกจากนี้ยังมีการเพิ่มขึ้นจาก 0.53 ไป 1.40V เป็น recombination ปัจจุบันฟอลส์ เป็นส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับความอิ่มตัวปัจจุบัน 10 ต่อไปเพิ่มขึ้นในวง CIGS ช่องว่างไม่มีผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญเหล่านี้พารามิเตอร์ อีกครั้งก็มีผลกระทบน้อยมากในการลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (JSC)