For correction and improvement of t

For correction and improvement of the voltage at point G ( ) as shown in equation 4.1, the added capacitance ( ) will apply between the G point and the S point of in the circuit, as shown in figure 4.12. Then the G point voltage value ( ) in active (ON) and not active (OFF) condition will change from the equation 4.2 ( ) to the equation 4.4, which will reduce voltage swings from inverter CMOS IC (oscillation).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการแก้ไขและปรับปรุงของแรงดันไฟฟ้าที่จุด G ()ดังแสดงในสมการ 4.1, ()เพิ่มความกันระหว่างจุด G และจุด S ของวงจร ในดังแสดงในรูปที่ 4.12 แบบ G จุดแรงดันค่า()ในสภาพที่ใช้งานอยู่ (บน) และงาน (ปิด) จากนั้น จะเปลี่ยนจากแบบสมการ 4.2 ()กับสมการ 4.4 ซึ่งจะช่วยลดแรงดันไฟฟ้ากระเช้าชิงช้าจากอินเวอร์เตอร์ CMOS IC (สั่น)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการแก้ไขและการปรับปรุงของแรงดันไฟฟ้าที่จุด G () ดังแสดงในสมการ 4.1 ความจุเพิ่ม () จะใช้ระหว่างจุด G และจุด S ในวงจรดังแสดงในรูปที่ 4.12 แล้วค่าจุดแรงดันไฟฟ้า G () ในการใช้งาน (ON) และไม่ได้ใช้งาน (OFF) จะเปลี่ยนสภาพจากสมการ 4.2 () เพื่อสม 4.4 ซึ่งจะช่วยลดแรงดันไฟฟ้าชิงช้าจากอินเวอร์เตอร์แบบ CMOS IC (สั่น)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการแก้ไขและปรับปรุงของแรงดันที่จุด G ( ) ดังแสดงในสมการ 4.1 , เพิ่มความจุ ( ) จะใช้ระหว่าง G จุด และเป็นจุดที่วงจร ดังแสดงในรูปที่ 4.12 . แล้ว G จุดแรงดันค่า ( ) ในการใช้งาน ( บน ) และไม่ใช้งาน ( ปิด ) เงื่อนไขจะเปลี่ยนจากสมการ ( ) 4.2 สมการ 4.4 ,ซึ่งจะลดแรงดันจากวงจรอินเวอร์เตอร์ ชิงช้า IC ( oscillation )