The large roughness of the UHV-anne

The large roughness of the UHV-annealed samples suggests that the surface is far from equilibrium


such that a transformation to a smooth morphology cannot be achieved under these conditions.

The key factor in achieving an improved growth is the significantly higher annealing temperature of 1

650◦C that is attainable for graphene formation under argon at a pressure of 900 mbar as compared with 1,280◦C in UHV

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความหยาบขนาดใหญ่ตัวอย่าง UHV annealed แนะนำว่า ผิวเป็นจากสมดุลให้แปลงการสัณฐานวิทยาเรียบไม่สามารถทำได้ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้1 หลอมอุณหภูมิสูงขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเป็นปัจจัยสำคัญในการเติบโตดีขึ้น650◦C ที่ผลิตสำหรับผู้แต่ง graphene ภายใต้อาร์กอนที่ความดัน mbar 900 เมื่อเทียบกับ 1, 280◦C ใน UHV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขรุขระมากตัวอย่าง UHV-อบแสดงให้เห็นว่าพื้นผิวที่อยู่ห่างไกลจากความสมดุลดังกล่าวว่าการเปลี่ยนแปลงที่จะสัณฐานเรียบไม่สามารถทำได้ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้. ปัจจัยสำคัญในการบรรลุการเจริญเติบโตที่ดีขึ้นคืออุณหภูมิการหลอมที่สูงขึ้นอย่างมีนัยสำคัญจาก 1 650◦ ซีที่จะสำเร็จได้สำหรับการสร้างกราฟีนภายใต้อาร์กอนที่ความดัน 900 เอ็มบาร์เทียบกับ1,280◦Cใน UHV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขนาดใหญ่ ความขรุขระของผิว uhv อบตัวอย่างแสดงให้เห็นว่าอยู่ไกลจากสมดุล


เช่น การแปลงให้เรียบ ลักษณะจะเกิดขึ้นภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้

ปัจจัยสำคัญในการบรรลุการเติบโตมีสูงกว่าอุณหภูมิการอบอ่อน 1

650 ◦ C ที่บรรลุได้สำหรับกราฟีนการพัฒนาภายใต้อาร์กอนที่ความดัน 900 มิลลิบาร์เมื่อเทียบกับ 1280 ◦ C ใน uhv