A p–i–n photodiode, also called PIN

A p–i–n photodiode, also called PIN photodiode, is a photodiode with an intrinsic (i) (i.e., undoped) region in between the n- and p-doped regions. Most of the photons are absorbed in the intrinsic region, and carriers generated therein can efficiently contribute to the photocurrent. In Figure 1, the electrodes are shown in black: the cathode is a flat electrode, whereas the anode has the form of a ring (of which two opposite parts are seen in the shown cross section). The positive pole of the (reverse) bias voltage is connected to the cathode. On top of the p region, there is an anti-reflection coating.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Photodiode p-i-n หรือที่เรียกว่า PIN photodiode มี photodiode กับ intrinsic (i) (เช่น undoped) ภูมิภาคระหว่างภูมิภาค doped n และ p ส่วนใหญ่ photons ถูกดูดซึมในภูมิภาค intrinsic และสายการบินสร้าง therein ได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถมีส่วน photocurrent ในรูปที่ 1 หุงตจะแสดงในสีดำ: แคโทดเป็นอิเล็กโทรดแบน ในขณะที่ขั้วบวกได้แบบแหวน (ชิ้นที่สองตรงกันข้ามจะเห็นในส่วนข้ามแสดง) เชื่อมต่อขั้วบวกของแรงดันไฟฟ้าทแยง (ย้อนกลับ) เป็นแคโทด บนภูมิภาค p มีการเคลือบป้องกันการสะท้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

i-p-n photodiode เรียกว่าโฟโต้ไดโอด PIN เป็นโฟโต้ไดโอดที่มีอยู่ภายใน (i) (เช่น undoped) ในระหว่างภูมิภาคและภูมิภาค n-p ยา ส่วนใหญ่ของโฟตอนถูกดูดซึมในภูมิภาคท​​ี่แท้จริงและผู้ให้บริการที่สร้างขึ้นนั้นได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถนำไปสู่​​กระแสโฟโต ในรูปที่ 1 ขั้วไฟฟ้าจะแสดงในสีดำ: แคโทดเป็นอิเล็กโทรดแบนในขณะที่ขั้วบวกมีรูปแบบของแหวน (ซึ่งสองส่วนตรงข้ามจะเห็นในส่วนแสดง) ขั้วบวกของ (ย้อนกลับ) อคติแรงดันไฟฟ้าที่เชื่อมต่อกับขั้วลบ ด้านบนของภูมิภาคพีที่มีการเคลือบผิวป้องกันแสงสะท้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พี–ฉัน– N โฟโตไดโอด เรียกว่าพินโฟโตไดโอด คือ โฟโตไดโอดกับเนื้อแท้ ( ฉัน ) ( เช่น เคมีไฟฟ้า ) เขตระหว่าง - และ p-doped ภูมิภาค ที่สุดของโฟตอนถูกดูดซึมในเขตภายใน และผู้ที่สร้างขึ้นนั้นสามารถได้อย่างมีประสิทธิภาพ ส่งผลให้กระแสโฟโต . ในรูปที่ 1 , ขั้วไฟฟ้าจะถูกแสดงในสีดำ : ขั้วแคโทดเป็นแบนส่วนขั้วบวกมีรูปแบบของแหวน ( ซึ่งสองฝั่งจะเห็นในส่วนที่แสดงภาคตัดขวาง ) ขั้วบวกของ ( ย้อนกลับ ) ความต่างศักย์ที่ต่อกับขั้วลบ ด้านบนของ P ภูมิภาค มีการต่อต้านการสะท้อนแสงเคลือบ