For lower Si/Al ratio clinoptilolit

For lower Si/Al ratio clinoptilolite which
protected by four ligand aluminum electric field, the OH
will not
cause damage of silicon in the clinoptilolite framework, only selective
dissolution of amorphous silicon

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับต่ำศรี / อัล clinoptilolite
อัตราส่วนที่ได้รับการคุ้มครองโดยอลูมิเนียมสี่แกนด์สนามไฟฟ้าที่OH? จะไม่ทำให้เกิดความเสียหายของซิลิกอนในกรอบ clinoptilolite, เลือกเฉพาะการสลายตัวของซิลิกอนอสัณฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อลดอัตราส่วน Si / Al ไคลน็อพติโลไลท์ซึ่ง
ป้องกันโดยสี่ลิแกนด์อลูมิเนียมไฟฟ้าสนาม โอ้
จะไม่
ก่อให้เกิดความเสียหายของซิลิคอนในไคลน็อพติโลไลท์กรอบเพียงตัวเลือก
ของซิลิคอนอสัณฐาน