• Memory Effect could be explained

• Memory Effect could be explained as a time lag between AM-AM and AM-PM response of the amplifier.
The Electrical Memory Effect is introduced by poor gate/base and drain/collector decoupling at low frequencies causing a distortion of the envelope currents which results in IMD asymmetry
Low frequencies mean baseband/video frequencies or the spacing between two tones.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- หน่วยความจำผลสามารถอธิบายได้เป็นเวลาล่าช้าระหว่าง am-am และการตอบสนอง am-pm ของเครื่องขยายเสียง
หน่วยความจำไฟฟ้า ผลคือการแนะนำโดยจนประตู / ฐานและระบาย / สะสม decoupling ต่ำความถี่ก่อให้เกิดความผิดเพี้ยนของกระแสซึ่งผลลัพธ์ในซองหรือความไม่สมดุล
ต่ำความถี่หมายความว่า baseband / วิดีโอความถี่หรือระยะห่างระหว่างสองโทน