MRAM (Magnetoresistive Random Acces

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) uses electron spin to store data. Memory cells are integrated on an integrated circuit chip, and the function of the resulting device is like a semiconductor static RAM (SRAM) chip, with potentially higher density and the added feature that the data are nonvolatile, that is data are retained with power off. Typical “classic”or “conventional” MRAM uses spin-dependent tunnel junction memory cells and magnetic row and column write lines as illustrated below:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MRAM (Magnetoresistive หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม) ใช้อิเล็กตรอนหมุนเพื่อเก็บข้อมูล รวมเซลล์หน่วยความจำบนตัวชิปวงจรรวม และการทำงานของอุปกรณ์ได้เช่นสารกึ่งตัวนำคงที่ RAM (SRAM) ชิปที่ มีความหนาแน่นสูงอาจเพิ่มลักษณะการทำงานที่ข้อมูล nonvolatile ที่มีรักษาข้อมูล ด้วยการปิดไฟ MRAM "คลาสสิค" หรือ "แบบธรรมดา" ทั่วไปใช้เซลล์หน่วยความจำเชื่อมต่ออุโมงค์ขึ้นอยู่กับการหมุน และแม่เหล็กแถวและคอลัมน์เขียนบรรทัดดังที่แสดงด้านล่าง:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

MRAM (Magnetoresistive แรม) ใช้สปินของอิเล็กตรอนในการเก็บข้อมูล เซลล์หน่วยความจำแบบบูรณาการบนชิปวงจรรวมและการทำงานของอุปกรณ์ที่เกิดขึ้นเป็นเหมือนแรมเซมิคอนดักเตอร์แบบคงที่ (SRAM) ชิปที่มีความหนาแน่นสูงที่อาจเกิดขึ้นและเพิ่มคุณสมบัติว่าข้อมูลที่มี nonvolatile ที่เป็นข้อมูลจะถูกเก็บไว้ที่มีอำนาจออก . โดยทั่วไป "คลาสสิก" หรือ "ธรรมดา" MRAM ใช้สปินขึ้นอยู่กับเซลล์หน่วยความจำและอุโมงค์ทางแยกแถวแม่เหล็กและเส้นเขียนคอลัมน์ดังแสดงด้านล่าง:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มแรม ( หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม magnetoresistive ) ใช้อิเล็กตรอนสปินเพื่อเก็บข้อมูล เซลล์หน่วยความจำรวมอยู่ในชิปวงจรแบบบูรณาการและการทำงานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งเป็นสแตติกแรม ( SRAM ) ชิ มีความหนาแน่นสูง และอาจเพิ่มคุณสมบัติที่ nonvolatile ข้อมูลที่ข้อมูลจะถูกเก็บไว้กับพลังออกโดยทั่วไป " คลาสสิก " หรือ " ปกติ " มแรมใช้ปั่นขึ้นอุโมงค์ชุมทางแถวคอลัมน์และเซลล์หน่วยความจำแม่เหล็กและเขียนบรรทัดที่แสดงด้านล่าง :