Bismuth film electrodes (BiFEs) hav

Bismuth film electrodes (BiFEs) have a
potential to replace toxic mercury used most frequently for
determination of heavy metals (Cd, Pb, Zn) by anodic
stripping voltammetry. We prepared a graphite disc electrode
(0.5 mm in diameter) from a pencil-lead rod and
developed a nitrogen doped diamond-like carbon (NDLC)
microelectrode array consisting of 50,625 microdiscs with
3 lm in diameter and interelectrode distances of 20 lm on
a highly conductive silicon substrate as a support for
BiFEs. The disc graphite BiFE was used for simultaneous
determination of Pb(II), Cd(II) and Zn(II) by square wave
voltammetry (SWV) in an aqueous solution. We found the
optimum bismuth-to-metal concentration ratio in the
solution to be 20. The dependence of the stripping
responses on the concentration of target metals was linear
in the range from 1 · 10–8 to 1.2 · 10–7 mol/L. Detection
limits 2.4 · 10–9 mol/L for Pb(II), 2.9 · 10–9 mol/L for
Cd(II) and 1.2 · 10–8 mol/L for Zn(II) were estimated. A
bismuth-plated NDLC microelectrode array was used for
Pb(II) determination by differential pulse voltammetry
(DPV) in an aqueous solution. We found that the stripping
current for bismuth-plated NDLC array was linear in the
concentration range of Pb(II) from 2 · 10–8 to 1.2 · 10–7
mol/L. The detection limit 2.2 · 10–8 mol/L was estimated
from a calibration plot

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บิสมัทฟิล์มอิเล็กโทรด (BiFEs) มีการศักยภาพในการแทนที่สารปรอทเป็นพิษที่ใช้บ่อยที่สุดสำหรับวิเคราะห์ปริมาณโลหะหนัก (Cd, Pb, Zn) โดยไลปอก voltammetry เราเตรียมอิเล็กโทรดดิสก์เป็นกราไฟท์(0.5 mm เส้นผ่านศูนย์กลาง) จากก้านดินสอ และพัฒนาเป็นไนโตรเจนเจือเลสสตี (NDLC)ประกอบด้วย microdiscs 50,625 กับเรย์ microelectrode3 lm ในระยะเส้นผ่าศูนย์กลางและ interelectrode 20 lm บนกับพื้นผิวซิลิโคนนำสูงการขอBiFEs แกรไฟต์แผ่นดิสก์ที่ใช้ BiFE สำหรับพร้อมกันความมุ่งมั่นของ Pb(II), Cd(II) และ Zn(II) โดยคลื่นสี่เหลี่ยมvoltammetry (เอสดับเบิลยูวี) ในละลาย เราพบการอัตราส่วนความเข้มข้นของบิสมัทโลหะที่ดีที่สุดในการโซลูชั่น 20 การพึ่งพาของการลอกการตอบสนองเมื่อความเข้มข้นของโลหะเป้าหมายที่เป็นเชิงเส้นในช่วงจาก 1 · 10 – 8 1.2 · 10-7 โมล/ลิตรตรวจสอบ·วงเงิน 2.4 10 – 9 mol/L สำหรับ Pb(II), 2.9 · 10 – 9 mol/L สำหรับCd(II) และ 1.2 · มีประมาณ 10-8 โมล/L สำหรับ Zn(II) Aใช้สำหรับชุบ bismuth NDLC microelectrode เรย์Pb(II) กำหนด โดย voltammetry ชีพจรแตกต่างกัน(DPV) ในละลาย เราพบว่าการปอกปัจจุบันสำหรับอาร์เรย์ NDLC ชุบบิสมัทเป็นเชิงเส้นในการช่วงความเข้มข้นของ Pb(II) จาก 2 · 10 – 8 1.2 · 10 – 7โมล/ลิตร รายงานการตรวจสอบวงเงิน 2.2 ประมาณ 10-8 โมล/Lจากแผนการสอบเทียบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บิสมัทขั้วไฟฟ้าฟิล์ม (BiFEs) มี
ศักยภาพในการเปลี่ยนสารปรอทเป็นพิษที่ใช้บ่อยที่สุดสำหรับ
ความมุ่งมั่นของโลหะหนัก (ซีดี, ตะกั่ว, สังกะสี) โดยขั้วบวก
ลอก voltammetry เราเตรียมขั้วดิสก์กราไฟท์
(0.5 มม) จากแท่งดินสอตะกั่วและ
พัฒนาไนโตรเจนเจือเพชรเช่นคาร์บอนไดออกไซด์ (NDLC)
microelectrode อาร์เรย์ประกอบด้วย 50,625 microdiscs กับ
3 LM ในเส้นผ่าศูนย์กลางและ interelectrode ระยะทาง 20 LM บน
สูง ซิลิคอนตั้งต้นเป็นสื่อกระแสไฟฟ้ากับการสนับสนุนสำหรับ
BiFEs bife ดิสก์ไฟท์ที่ใช้สำหรับการพร้อมกัน
มุ่งมั่นของตะกั่ว (II) แคดเมียม (II) และ Zn (II) โดยคลื่นสี่เหลี่ยม
voltammetry (SWV) ในสารละลาย เราพบ
บิสมัทกับโลหะอัตราส่วนความเข้มข้นที่เหมาะสมใน
การแก้ปัญหาที่จะเป็น 20 พึ่งพาอาศัยกันของลอก
การตอบสนองกับความเข้มข้นของโลหะเป้าหมายเป็นเชิงเส้น
ในช่วงตั้งแต่ 1 · 10-8 1.2 · 10-7 โมล / ลิตร . การตรวจหา
ข้อ จำกัด 2.4 · 10-9 โมล / ลิตรตะกั่ว (II) 2.9 · 10-9 โมล / ลิตร
CD (II) และ 1.2 · 10-8 โมล / ลิตร Zn (II) อยู่ที่ประมาณ
บิสมัทชุบ NDLC microelectrode อาร์เรย์ที่ใช้สำหรับ
Pb (II) การกำหนดค่าโดยการเต้นของชีพจร voltammetry
(DPV) ในสารละลาย เราพบว่าการลอก
ปัจจุบันบิสมัทชุบ NDLC อาร์เรย์ได้รับการเชิงเส้นใน
ช่วงความเข้มข้นของตะกั่ว (II) จาก 2 · 10-8 1.2 · 10-7
โมล / ลิตร ขีด จำกัด การตรวจสอบ 2.2 · 10-8 โมล / ลิตรโดยประมาณ
จากพล็อตการสอบเทียบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บิสมัท ( bifes ) มีขั้วไฟฟ้าฟิล์มศักยภาพที่จะแทนที่พิษปรอทที่ใช้บ่อยที่สุดสำหรับการหาปริมาณโลหะหนัก ( CD , ตะกั่ว , สังกะสี ) โดยการแสงยูวีที่ปอก เราเตรียมแผ่นแกรไฟต์ electrode( 0.5 มม. ) จากไส้ดินสอแท่งและการพัฒนาไนโตรเจนด้วยคาร์บอนคล้ายเพชร ( ndlc )ไมโครอิเล็กโทรดเรย์ประกอบด้วย 50625 microdiscs กับ3 LM ในเส้นผ่าศูนย์กลางและ interelectrode ระยะทาง 20 LM บนพื้นผิวสูง Conductive ซิลิคอนเป็นสนับสนุนbifes . แผ่นกราไฟท์ bife ใช้พร้อมกันการหาปริมาณตะกั่ว ( II ) , Cd ( II ) และสังกะสี ( II ) โดยคลื่นสี่เหลี่ยมแสงยูวี ( SWV ) ในสารละลาย เราพบที่อัตราส่วนความเข้มข้นของโลหะในบิสมัทโซลูชั่นเป็น 20 การพึ่งพาของปอกการตอบสนองต่อความเข้มข้นของโลหะเป้าหมายเชิงเส้นในช่วงตั้งแต่ 1 ด้วย 10 – 8 1.2 ด้วย 10 – 7 โมลต่อลิตร ตรวจจับข้อ 2.4 ด้วย 10 – 9 โมล / ลิตรสำหรับ Pb ( II ) , 2.9 ด้วย 10 – 9 mol / L สำหรับซีดี ( 2 ) และ 1.2 ด้วย 10 – 8 mol / L Zn ( II ) โดยประมาณ เป็นบิสมัท ndlc ไมโครอิเล็กโทรดเรย์ใช้ชุบตะกั่ว ( II ) การหาค่าชีพจรแสงยูวี( dpv ) ในสารละลาย เราจะพบว่า ปอกปัจจุบันบิสมัทชุบ ndlc เรย์เป็นเชิงเส้นในความเข้มข้นของตะกั่ว ( II ) ในช่วงที่ 2 ด้วย 10 – 8 1.2 ด้วย 10 – 7โมล / ลิตร ขีดจำกัดของ 2.2 ด้วย 10 – 8 โมล / ลิตรโดยประมาณจากการสอบเทียบจุด