Figure 6 shows a plot of (Ahν)2 vs.

Figure 6 shows a plot of (Ahν)2 vs. photon energy hν for undoped ZnO thin films. A linear dependence of (Ahν)2
on hν at higher photon energies indicates that the films are essentially direct transition-type semiconductors. The inset shows the drawn lnAas a function of photon energy (hν) to deduce the Urbach energy

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 6 แสดงแผนของ (Ahν) 2 เทียบกับโฟตอนพลังงาน hν สำหรับฟิล์มบาง ZnO undoped การพึ่งพาเชิงเส้นของ (Ahν) 2
ใน hν ที่เราสูง พลังงานบ่งชี้ว่า ภาพยนตร์เป็นหลักโดยตรงเปลี่ยนชนิดอิเล็กทรอนิกส์ การแทรกฟังก์ชันของโฟตอนพลังงาน (hν) การพลังงาน Urbach lnAas วาดแสดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 6 แสดงให้เห็นพล็อต (Ahν) 2 เทียบกับhνพลังงานโฟตอนเพื่อ undoped ZnO ฟิล์มบาง เชิงเส้นของการพึ่งพา (Ahν) 2
บนhνพลังงานโฟตอนที่สูงขึ้นแสดงให้เห็นว่าภาพยนตร์เป็นเซมิคอนดักเตอร์โดยตรงเป็นหลักการเปลี่ยนแปลงประเภท สิ่งที่ใส่เข้าไปแสดง lnAas วาดฟังก์ชันของพลังงานโฟตอน (hν) ที่จะอนุมานพลังงาน Urbach

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 6 แสดงแปลง ( อาν ) 2 กับโฟตอนพลังงาน H สำหรับฟิล์มบาง ZnO νเคมีไฟฟ้า . การเชิงเส้น ( อาν ) 2
h νโฟตอนพลังงานสูง พบว่าฟิล์มเป็นหลักโดยการเปลี่ยนชนิดของสารกึ่งตัวนำ สิ่งที่ใส่เข้าไปแสดงวาด lnaas ฟังก์ชันพลังงานโฟตอน ( H ν ) อนุมานพลังงานเออร์บัก