Conventional n-type ohmic metal (Au

Conventional n-type ohmic metal (Au/Ni/Ge/Au) and p-type ohmic
metal (Au/Pt/Ti) were deposited on the other half of the same
wafer for direct comparison. To reduce the total series resistance
losses at high current densities, the fingers and busbars were plated
to 1 lm and 5 lm thicknesses

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปกติ n ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Ni/Ge/Au) และ p-ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Pt/ตี้) ได้ฝากบนครึ่งเดียวกันแผ่นเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง เพื่อลดความต้านทานรวมชุดขาดทุนที่แน่นปัจจุบันสูง นิ้วมือ และ busbars ถูกชุบ1 lm และ lm ความหนาที่ 5

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ธรรมดาชนิดเอ็นโลหะ ohmic (Au / Ni / Ge / Au) และชนิดพี ohmic
โลหะ (Au / Pt / Ti)
ถูกวางลงบนอีกครึ่งหนึ่งของเดียวกันเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง เพื่อลดความต้านทานชุดรวมความสูญเสียที่ความหนาแน่นสูงในปัจจุบันนิ้วมือและ busbars ถูกชุบถึง1 ไมครอนและความหนา 5 ไมครอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ค่าปกติทั่วไปโลหะ ( AU / ผม / พี่ / AU ) และค่าพีโลหะ
( AU / PT / Ti ) เป็นเงินครึ่งหนึ่งของเวเฟอร์เดียวกัน
สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง เพื่อลดการสูญเสียชุดต้านทาน
ทั้งหมดที่ความหนาแน่นกระแสสูง นิ้ว และ busbars ถูกชุบ
1 และ 5 โดยความหนาโดย