between samples, since it is sensit

between samples, since it is sensitive to subtleties in the
preparation and history of each sample. Under illumination, the
electrode saturates and the potential shifts negatively to values
close to ECBM, and the potentials converge for replicate samples to
quite similar values.
Plotted on the same potential scale, the OCV traces show that in
this electrolyte the CBM of ZnO lies at a more negative potential
than that of TiO2 by about 0.1 V. This would tend to block the
desired electron transfer from TiO2 to ZnO in a DSSC device based
on a hybrid of these two materials. However, doping ZnO with 10 at
% Co results in a positive shift of the CBM by about 0.15 V, while
doping TiO2 with Zr results in a negative shift of about 0.1 V at the
5 at% doping level and 0.2 V at the 10% doping level. Together, the
dopants of the two materials combine to give a driving force of
more than 0.2 V for electron transfer from Zr-doped TiO2 to Codoped
ZnO.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระหว่างตัวอย่าง เนื่องจากมันเป็นการละเอียดอื่นในการเตรียมและประวัติของแต่ละอย่าง ภายใต้แสงสว่าง การอิเล็กโทรด saturates และศักยภาพส่งกะค่าใกล้เคียงกับ ECBM และศักยภาพมาบรรจบกันสำหรับตัวอย่าง replicate เพื่อค่าที่ค่อนข้างคล้ายกันร่องรอย OCV พล็อตในสเกลเดียวกันที่อาจเกิดขึ้น แสดงว่าในอิเล็กโทรนี้ CBM ZnO อยู่ที่ศักยภาพเชิงลบมากขึ้นกว่าที่ของ TiO2 โดยเกี่ยวกับ 0.1 V นี้จะมีแนวโน้มที่บล็อกนี้อิเล็กตรอนต้องโอนย้ายจาก TiO2 ไป ZnO DSSC อุปกรณ์ตามในการผสมของวัสดุเหล่านี้สอง อย่างไรก็ตาม โดปปิงค์ ZnO มี 10 ที่%บริษัทผลบวกกะของ CBM โดยเกี่ยวกับ 0.15 V ขณะที่โดปปิงค์ TiO2 กับ Zr ผลกะค่าลบของเกี่ยวกับ 0.1 V ในการ5% โดปปิงค์ 0.2 V % 10 โดปปิงค์ระดับและระดับ ร่วมกัน การdopants การผลิตสองรวมแรงผลักดันของมากกว่า 0.2 V สำหรับอิเล็กตรอนที่ถ่ายโอนจาก Zr doped TiO2 ไป CodopedZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระหว่างตัวอย่างเพราะมันมีความไวต่อรายละเอียดปลีกย่อยใน
การเตรียมความพร้อมและประวัติของแต่ละตัวอย่าง ภายใต้แสง
อิ่มตัวอิเล็กโทรดและการเปลี่ยนแปลงที่อาจเกิดขึ้นในเชิงลบกับค่า
ใกล้กับ ECBM และศักยภาพมาบรรจบกันสำหรับตัวอย่างที่จะทำซ้ำ
ค่าคล้ายกันมาก.
พล็อตในระดับที่มีศักยภาพเดียวกันร่องรอย OCV แสดงให้เห็นว่าใน
นี้อิเล็กโทรไล CBM ของซิงค์ออกไซด์อยู่ที่ ที่มีศักยภาพเชิงลบมากขึ้น
กว่าที่ของ TiO2 โดยประมาณ 0.1 โวลต์นี้จะมีแนวโน้มที่จะปิดกั้น
การถ่ายโอนอิเล็กตรอนที่ต้องการจากการซิงค์ออกไซด์ TiO2 ในอุปกรณ์ DSSC ตาม
ในไฮบริดของทั้งสองวัสดุ แต่ยาสลบซิงค์ออกไซด์ที่มี 10
% ผลการร่วมในการเปลี่ยนแปลงในเชิงบวกของ CBM ประมาณ 0.15 V ขณะ
ยาสลบ TiO2 ที่มีผล Zr ในเชิงลบของการเปลี่ยนแปลงประมาณ 0.1 V ที่
5 ในระดับยาสลบ% และ 0.2 V ที่ 10% ระดับยาสลบ ร่วมกัน
ของสารเจือสองวัสดุเข้าด้วยกันเพื่อให้เป็นแรงผลักดันของ
เกิน 0.2 V สำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนจาก TiO2 Zr เจือไป Codoped
ซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระหว่างตัวอย่าง เนื่องจากมันมีความละเอียดปลีกย่อยใน
การเตรียมและประวัติของแต่ละตัวอย่าง ภายใต้แสงสว่าง
ขั้ว saturates และศักยภาพกะลบค่า
ใกล้ ecbm และศักยภาพมาบรรจบกันเพื่อเลียนแบบตัวอย่างค่า

ค่อนข้างคล้ายกัน วางแผนในระดับเดียวกันอาจเกิดขึ้น , ocv ร่องรอยแสดงให้เห็นว่าใน
นี้ผลที่ CBM ของซิงค์ออกไซด์อยู่ที่เชิงลบที่มีศักยภาพมากขึ้นกว่าที่ของ TiO2
ประมาณ 0.1 โวลต์นี้มักจะปิดกั้น
ต้องการอิเล็กตรอนโอนจาก TiO2 เพื่อซิงค์ออกไซด์ในอุปกรณ์ DSSC ตาม
บนลูกผสมของทั้งสองวัสดุ อย่างไรก็ตามการเติมสังกะสีกับ 10 ที่
% CO ส่งผลบวกกะของ CBM ประมาณ 0.15 V ในขณะที่
โด๊ป TiO2 กับ ZR ผลลัพธ์ในลบกะประมาณ 0.1 V
5 ที่ระดับ 0.2 % เติม v ที่ 10% เติมระดับ ด้วยกัน
ในของวัสดุสองรวมกันเพื่อให้มีแรงขับของ
มากกว่า 0.2 V สำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนจาก ZR เจือ TiO2 เพื่อ codoped
เช่นกัน