This paper introduces dual-material

This paper introduces dual-material gate (DMG) configuration on a bilayer graphenenanoribbon field-effect transistor (BLGNRFET). Its device characteristics based on nonequilibrium Green's function (NEGF) are explored and compared with a conventionalsingle-material gate BLGNRFET. Results reveal that an on-off ratio of up to 10 is achievableas a consequence of both higher saturation and lower leakage currents. The advantages ofour proposed DMG structure mainly lie in higher carrier transport efficiency by means ofenhancing initial acceleration of incoming carriers in the channel region and thesuppression of short channel effects. Drain-induced barrier lowering, subthreshold swingand hot electron effect as the key short channel parameters have been improved in theDMG-based BLGNRFET.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี้จะแนะนำกระดาษประตูแบบ dual-วัสดุ (DMG) การกำหนดค่าบน bilayer graphene
ทรานซิสเตอร์ nanoribbon ข้อมูลผลกระทบ (BLGNRFET) ลักษณะอุปกรณ์บนพื้นฐานของฟังก์ชั่น nonequilibrium สีเขียว (NEGF) มีการสำรวจและเปรียบเทียบกับการชุมนุม
เดียววัสดุประตู BLGNRFET ผลการศึกษาพบว่ามีการเปิดปิดอัตราส่วนถึง 10 จะทำได้
เป็นผลมาจากทั้งความอิ่มตัวสูงขึ้นและลดกระแสการรั่วไหล ข้อดีของ
โครงสร้างฮึกเหิมของเราที่นำเสนอส่วนใหญ่อยู่ในผู้ให้บริการขนส่งที่มีประสิทธิภาพที่สูงขึ้นโดยวิธีการของ
การเสริมสร้างการเร่งความเร็วเริ่มต้นของการให้บริการที่เข้ามาในภูมิภาคช่องทางและ
การปราบปรามของผลกระทบช่องสั้น ท่อระบายน้ำเหนี่ยวนำให้เกิดอุปสรรคการลดแกว่ง subthreshold
และผลกระทบอิเล็กตรอนร้อนเป็นพารามิเตอร์ที่ช่องสั้น ๆ ที่สำคัญได้รับการปรับปรุงใน
BLGNRFET ฮึกเหิมตาม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เอกสารนี้จะแนะนำการกำหนดค่าประตูคู่ (DMG) บนบิลิฟีน
(BLGNRFET)-ทรานซิสเตอร์ผลสนาม ลักษณะของอุปกรณ์ที่ขึ้นอยู่กับฟังก์ชั่น nonequilibrium ของ Green (NEGF) ได้รับการสำรวจและเปรียบเทียบกับ
ประตูวัสดุเดี่ยว ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าอัตราส่วนการเปิดตัวสูงสุดถึง10ทำได้
เป็นผลมาจากความอิ่มตัวที่สูงขึ้นและกระแสรั่วไหลลดลง ข้อดีของ
โครงสร้าง DMG ที่เรานำเสนอส่วนใหญ่อยู่ในประสิทธิภาพการขนส่งของผู้ให้บริการที่สูงขึ้นโดยวิธีการของ
เพิ่มความเร่งเริ่มต้นของผู้ให้บริการขาเข้าในภูมิภาคช่องและ
การปราบปรามของผลกระทบช่องทางสั้น การลดการเกิดอุปสรรคในการระบายน้ำ, การแกว่งขีดจำกัด
และผลอิเล็กตรอนร้อนเนื่องจากมีการปรับปรุงพารามิเตอร์ช่องสัญญาณสั้น
จากที่นี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สองวัสดุโครงสร้างตารางคู่กราไฟท์เป็นที่รู้จัก
นาโนแบนด์ผลทรานซิสเตอร์ คุณสมบัติของอุปกรณ์บนพื้นฐานของฟังก์ชันสีเขียวไม่สมดุลจะกล่าวถึงและเปรียบเทียบกับอุปกรณ์แบบดั้งเดิม
ประตูวัสดุเดียว ผลการศึกษาพบว่าอัตราส่วนสวิตช์ถึง
ผลของความอิ่มตัวสูงและกระแสรั่วต่ำ บุญ
โครงสร้าง DMG ที่เราเสนอส่วนใหญ่จะผ่าน
เพิ่มความเร่งเริ่มต้นของการป้อนข้อมูลผู้ให้บริการในพื้นที่ช่อง
ยับยั้งผลช่องสัญญาณสั้น การระบายน้ำทำให้อุปสรรคลดลงและชิงช้าใต้ธรณีประตู
ผลของอิเล็กตรอนความร้อนเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญของช่องสัญญาณสั้น
blgnrfet ตาม DMG