We next examine the optical propert

We next examine the optical properties of the grown ZnO nanostructures as shown in Fig. 3. The UV emission at 381 nm is the near band edge (NBE) emission, and the green luminescence belongs to the defect emission of zinc oxide [13]. For the sample grown without inclusion of In, the intensity of NBE emission is stronger than that of defect emission, and the ratio of the intensity is about 9:1. After the incorporation of In in the growth process, the NBE emission is enhanced, while the defect emission is suppressed, and the ratio of the intensity of the peaks changes to 200:1. Generally speaking, it is unusual that doping can enhance NBE emission and suppress the defect emission [11]. Since it is expected that doping adds impurities to the crystal, the defect luminescence will be enhanced. Besides, with excess acceptor or donor levels, they will trap photoexcited electron-hole pairs, and reduce the NBE emission. In addition to the XRD data, our result presented here indicates that the inclusion of In in the growth process does not lead to a significant amount of the incorporation of In inside the ZnO crystals. Furthermore, the fact that the CL peak remains the same for both kinds of samples also provides another supporting evidence. The major effect of In inclusion in the growth process is therefore not to incorporate In elements inside the ZnO crystal lattice, but only to decrease the growth rate, improve the crystalline quality, and reduce defect concentration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราถัดไปตรวจสอบคุณสมบัติแสงของการปลูก ZnO nanostructures มาก Fig. 3 มลพิษ UV ที่ 381 nm จะเล็ดรอดขอบ (NBE) วงใกล้ และ luminescence สีเขียวเป็นของมลพิษความบกพร่องของสังกะสีออกไซด์ [13] สำหรับตัวอย่างปลูก โดยรวม ความเข้มของ NBE มลพิษจะแข็งแกร่งกว่าของมลพิษความบกพร่อง และอัตราส่วนของความเข้มคือ 9:1 หลังจากจดทะเบียนของในในกระบวนการเจริญเติบโต มลพิษ NBE เพิ่ม ระงับปล่อยก๊าซบกพร่อง และเปลี่ยนอัตราส่วนของความเข้มของแห่ง 200:1 โดยทั่วไป มันเป็นปกติที่โดปปิงค์สามารถเพิ่มมลพิษ NBE และระงับการปล่อยก๊าซบกพร่อง [11] เนื่องจากคาดว่า โดปปิงค์เพิ่มสิ่งสกปรกให้ผลึก luminescence บกพร่องจะสามารถปรับปรุง นอกจาก acceptor เกินหรือระดับผู้บริจาค พวกเขาจะดักคู่อิเล็กตรอนรู photoexcited และลดมลพิษ NBE นอกจากข้อมูล XRD ผลลัพธ์ของเรานำเสนอหมายถึงการรวมของในในการเจริญเติบโต กระบวนการไม่นำไปสู่จำนวนสำคัญในการประสานในภายในผลึก ZnO นอกจากนี้ ความจริงที่สูงสุด CL ยังคงเหมือนกันสำหรับทั้งสองชนิดอย่างยังมีหลักฐานสนับสนุนอีกด้วย ลักษณะสำคัญของในรวมในกระบวนการเจริญเติบโตจึงไม่รวมอยู่ในองค์ประกอบภายใน ZnO คริสตัลโครงตาข่ายประกอบ แต่เฉพาะเพื่อ ลดอัตราการเติบโต ปรับปรุงคุณภาพผลึก และลดความเข้มข้นของความบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไปเราตรวจสอบคุณสมบัติทางแสงของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์เติบโตดังแสดงในรูป 3. การปล่อยรังสียูวีที่ 381 นาโนเมตรเป็นวงที่อยู่ใกล้ขอบ (NBE) ปล่อยก๊าซเรือนกระจกและการเรืองแสงสีเขียวเป็นของการปล่อยข้อบกพร่องของซิงค์ออกไซด์ [13] สำหรับตัวอย่างปลูกโดยไม่ต้องรวมในความรุนแรงของการปล่อยก๊าซ NBE จะดีกว่าการปล่อยข้อบกพร่องและอัตราการใช้ความรุนแรงเป็นเรื่องเกี่ยวกับ 9: 1 หลังจากที่รวมตัวกันของกระบวนการในการเจริญเติบโตในการปล่อย NBE จะเพิ่มขึ้นในขณะที่การปล่อยข้อบกพร่องถูกระงับและอัตราส่วนของความเข้มของยอดเขาที่มีการเปลี่ยนแปลงถึง 200: 1 โดยทั่วไปมันเป็นเรื่องปกติท​​ี่ยาสลบสามารถเพิ่มการปล่อย NBE และปราบปรามการปล่อยข้อบกพร่อง [11] เพราะมันเป็นที่คาดว่าจะเพิ่มยาสลบสิ่งสกปรกที่จะคริสตัลเรืองแสงข้อบกพร่องจะเพิ่มขึ้น นอกจากนี้ยังมีตัวรับเกินหรือระดับผู้บริจาคที่พวกเขาจะดัก photoexcited คู่อิเล็กตรอนหลุมและลดการปล่อย NBE นอกจากข้อมูล XRD ผลของเรานำเสนอที่นี่แสดงให้เห็นว่าการรวมของในในกระบวนการเจริญเติบโตที่ไม่ได้นำไปสู่​​การเป็นจำนวนมากรวมตัวกันของในภายในผลึกซิงค์ออกไซด์ นอกจากความจริงที่ว่ายอด CL ยังคงเหมือนเดิมสำหรับทั้งสองชนิดของตัวอย่างนอกจากนี้ยังมีหลักฐานอื่นสนับสนุน ผลกระทบที่สำคัญของในการรวมอยู่ในกระบวนการการเจริญเติบโตดังนั้นจึงเป็นไม่ได้ที่จะนำมารวมกันในองค์ประกอบภายในผลึกตาข่าย ZnO แต่เพียงเพื่อลดอัตราการเจริญเติบโตในการปรับปรุงคุณภาพผลึกและลดความเข้มข้นของข้อบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราหน้าตรวจสอบคุณสมบัติเชิงแสงของซิงค์ออกไซด์นาโนเติบโตดังแสดงในรูปที่ 3 รังสี UV ที่ 381 nm เป็นขอบวงใกล้ ( ถูก ) มลพิษ และเรืองแสงสีเขียวเป็นของข้อบกพร่องการเล็ดรอดของสังกะสีออกไซด์ [ 13 ] สำหรับตัวอย่างการเติบโตโดยรวมในความเข้มของรังสี จะแข็งแกร่งกว่าที่ปล่อยข้อบกพร่องและอัตราส่วนความเข้มประมาณ 09 : 01หลังจากการในขั้นตอนการเจริญเติบโต ทำให้การปล่อยเพิ่มขึ้น ขณะที่การปล่อยของเสียจะถูกระงับ และอัตราส่วนของความเข้มของยอดการเปลี่ยนแปลง 200 : 1 . พูดโดยทั่วไป , มันเป็นปกติที่เวลาจะสามารถเพิ่มการปราบปรามของเสียมลพิษ [ 11 ] เนื่องจากคาดว่าการเพิ่มสิ่งสกปรกกับคริสตัลข้อบกพร่องเรืองแสงจะเพิ่มขึ้น นอกจากนี้ พระนาสิกหรือเกินจากระดับที่พวกเขาจะ photoexcited กับดักหลุมคู่อิเล็กตรอน และลดได้ค่า นอกจากข้อมูลวิเคราะห์ผลของเราแสดงที่นี่แสดงให้เห็นว่ารวมอยู่ในขั้นตอนการเจริญเติบโตไม่ได้นําจํานวนการซิงค์ออกไซด์ในภายในผลึก นอกจากนี้ความจริงที่ว่า CL สูงสุดยังคงเหมือนเดิมสำหรับทั้งสองชนิดของตัวอย่างยังมีอีกหลักฐานที่พิสูจน์ได้ หลักในการรวมผลของในกระบวนการเจริญเติบโต จึงไม่ได้รวมในองค์ประกอบภายใน ZnO แลตทิซผลึก แต่จะลดอัตราการเจริญเติบโต พัฒนาคุณภาพของผลึก และลดปริมาณของเสีย