To investigate the optical absorpti

To investigate the optical absorption properties of the as- synthesized samples, the DRS results of pure BiPO4, pure Ag3PO4 and composite with Bi/Ag molar ratio of 4:3 were determined and are shown in Fig. 4. The composite showed broad absorption in visible light region with an adsorption edge of around 530 nm although the composite had a weak blueshift compared with Ag3PO4 absorption edge (about
550 nm), showing that the composite has potential ability for
photocatalytic decomposition of organic contaminants under visible-light irradiation. The band gap energy of a semicon- ductor can be estimated by the following formula [18]:
αhν ¼ Aðhν Eg Þm ð1Þ

where α, h, and ν are the absorption coefficient, Planck constant and light frequency, respectively. A is a constant, Eg is band gap energy of the semiconductor, and m depends on the type of transition: m ¼ 0.5 for a direct band transition, and m ¼ 2 for an indirect band transition [22]. For BiPO4 and Ag3PO4, the values of m are 2 [12] and 0.5 [21,23], respectively. Therefore, Eg of BiPO4 was determined from a


plot of (αhν)0.5 versus energy (hν) and was elicited to be
3.85 eV. Accordingly, Eg of Ag3PO4 was found to be 2.40 eV according to a plot of (αhν)2 versus energy (hν) (as shown in the inset of Fig. 4).
In addition, the conduction band edge (ECB) and valence band edge (EVB) positions of BiPO4 and Ag3PO4 were estimated from the concept of electronegativity. The conduc- tion band edge of a semiconductor at the point of zero charge (pHzpc) can be theoretically predicted from the formula
ECB ¼ X Ec 0:5Eg ð2Þ

where X is the absolute electronegativity of the semiconductor and Ec is the energy of free electrons on the hydrogen scale (about 4.5 eV). Moreover, EVB can be determined by EVB ¼ ECB þ Eg. The value of X for Ag3PO4 and BiPO4 is
5.96 and 6.85 [24], respectively. According to the values of Eg estimated above and the foregoing formula the calculated ECB and EVB of Ag3PO4 were 0.26 eV and 2.66 eV, and those of BiPO4 were 0.43 eV and 4.28 eV, respectively. For Ag3PO4 the valence band edge potential (2.66 eV) is less positive than

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การตรวจสอบคุณสมบัติดูดซึมแสงของเป็น - กำหนดตัวอย่างสังเคราะห์ DRS ผลแท้ BiPO4, Ag3PO4 และคอมโพสิต ด้วย Bi/Ag สบอัตราส่วน 4:3 และใน Fig. 4 คอมโพสิตพบว่าดูดซึมกว้างในภูมิภาคเห็นแสงกับขอบดูดซับประมาณ 530 nm แม้ว่าคอมโพสิตมี blueshift อ่อนแอเมื่อเทียบกับขอบดูดซึม Ag3PO4 (เกี่ยวกับ
550 nm), แสดงว่า คอมโพสิตที่มีความสามารถมีศักยภาพ
เน่ากระของสารปนเปื้อนอินทรีย์ภายใต้วิธีการฉายรังสีแสงที่มองเห็น แถบช่องว่างพลังงานของ semicon-ductor ที่สามารถประเมินจากสูตรต่อไปนี้ [18]:
αhν ¼ Aðhν Eg Þm ð1Þ

ที่α h และνเป็น coefficient ดูดซึม ของพลังค์คง และแสงความถี่ ตามลำดับ A เป็นค่าคง เช่นเป็นแถบช่องว่างพลังงานของสารกึ่งตัวนำแบบ และ m ขึ้นอยู่กับชนิดของการเปลี่ยนแปลง: m ¼ 0.5 สำหรับเปลี่ยนวงดนตรีโดยตรง และ m ¼ 2 สำหรับการเปลี่ยนแปลงทางอ้อมวง [22] สำหรับ BiPO4 และ Ag3PO4 ค่าของ m ได้ 2 [12] และ [21,23], 0.5 ตามลำดับ ดังนั้น เช่นของ BiPO4 ถูกกำหนดจากการ


พล็อตของ (αhν) 0.5 เมื่อเทียบกับพลังงาน (hν) และถูก elicited จะ
3.63 eV ตามลำดับ เช่นของ Ag3PO4 พบเป็น 2.40 eV ตามแผนของ (αhν) 2 เมื่อเทียบกับพลังงาน (hν) (แสดงในแทรกที่ 4 Fig.) .
, นำวงขอบ (กลางแห่ง) และเวเลนซ์วงขอบ (EVB) ตำแหน่งของ BiPO4 และ Ag3PO4 ถูกประเมินจากแนวคิดของ electronegativity ขอบวง conduc-สเตรชันของสารกึ่งตัวนำณขณะที่มีค่าเป็นศูนย์ (pHzpc) สามารถเป็นทำนายตามหลักวิชาจากสูตร
กลางแห่ง¼ X Ec 0:5Eg ð2Þ

โดยที่ X คือ electronegativity สัมบูรณ์ของสารกึ่งตัวนำและ Ec คือ พลังงานของอิเล็กตรอนอิสระในระดับไฮโดรเจน (ประมาณ 4.5 eV) นอกจากนี้ สามารถกำหนด EVB โดยกลางแห่ง EVB ¼þ Eg ค่าของ X สำหรับ Ag3PO4 และ BiPO4
5.96 และ 6.85 [24], ตามลำดับ ตามมูลค่าประมาณข้าง Eg สูตรเหล่านี้กลางแห่งคำนวณ และ EVB Ag3PO4 มี 0.26 eV และ 2.66 eV และบรรดา BiPO4 มี 0.43 eV และ 4.28 eV ตามลำดับ สำหรับ Ag3PO4 เวเลนซ์วงขอบมีศักยภาพ (2.66 eV) เป็นค่าบวกน้อยกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการตรวจสอบคุณสมบัติการดูดซึมแสงของเสังเคราะห์ตัวอย่างผล DRS บริสุทธิ์ BiPO4, Ag3PO4 บริสุทธิ์และประกอบกับ Bi / Ag อัตราส่วน 4: 3 ได้รับการพิจารณาและได้รับการแสดงในรูปที่ 4 ประกอบแสดงให้เห็นว่าการดูดซึมกว้างในภูมิภาคแสงที่มองเห็นด้วยขอบการดูดซับประมาณ 530 นาโนเมตรถึงแม้จะประกอบมี Blueshift อ่อนแอเมื่อเทียบกับขอบการดูดซึม Ag3PO4 (ประมาณ
550 นาโนเมตร) แสดงให้เห็นว่าคอมโพสิทมีความสามารถที่มีศักยภาพสำหรับ
การสลายตัวของสารปนเปื้อนปฏิกิริยาอินทรีย์ ภายใต้การฉายรังสีที่มองเห็นแสง พลังงานช่องว่างวงดนตรีของ Ductor semicon- สามารถประมาณโดยสูตรต่อไปนี้ [18]:
αhν¼Aðhνเช่น THM ð1Þ ที่α, H และνมีการดูดซึม COEF ไฟเพียงพอคงที่ของพลังค์และความถี่แสงตามลำดับ เป็นค่าคงที่, เช่นเป็นพลังงานช่องว่างแถบของเซมิคอนดักเตอร์และเมตรขึ้นอยู่กับชนิดของการเปลี่ยนแปลง: m ¼ 0.5 สำหรับการเปลี่ยนแปลงวงโดยตรงและ M = 2 สำหรับการเปลี่ยนแปลงวงอ้อม [22] สำหรับ BiPO4 และ Ag3PO4 ค่าของเมตร 2 [12] และ 0.5 [21,23] ตามลำดับ ดังนั้นเช่นของ BiPO4 ถูกกำหนดจากพล็อต (αhν) 0.5 เมื่อเทียบกับพลังงาน (hν) และถูกนำออกมาเป็น3.85 eV ดังนั้นเช่นของ Ag3PO4 พบว่า 2.40 eV ตามพล็อต (αhν) 2 เมื่อเทียบกับพลังงาน (hν) (ดังแสดงในภาพประกอบของรูปที่ 4.) นอกจากนี้ขอบการนำวงดนตรี (ECB) และวงจุ ขอบ (EVB) ตำแหน่งของ BiPO4 และ Ag3PO4 ถูกประมาณจากแนวคิดของอิเล็ก ขอบวงการไฟฟ้าของเซมิคอนดักเตอร์ที่จุดศูนย์ค่าใช้จ่าย (pHzpc) สามารถทำนายทางทฤษฎีจากสูตรECB ¼ X Ec 0: 5EG ð2Þ ที่ X คืออิเล็กแน่นอนของเซมิคอนดักเตอร์และ Ec เป็นพลังงานของอิเล็กตรอนอิสระ ในระดับไฮโดรเจน (ประมาณ 4.5 eV) นอกจากนี้ EVB จะถูกกำหนดโดย EVB ¼ ECB þเช่น ค่าของ X สำหรับ Ag3PO4 และ BiPO4 เป็น5.96 และ 6.85 [24] ตามลำดับ ตามค่านิยมของเช่นประมาณข้างต้นและสูตรที่กล่าวมาคำนวณ ECB และ EVB ของ Ag3PO4 เป็น 0.26 eV และ 2.66 eV และผู้ BiPO4 เป็น 0.43 eV และ 4.28 eV ตามลําดับ สำหรับ Ag3PO4 ศักยภาพขอบวงจุ (2.66 eV) เป็นบวกน้อยกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อศึกษาคุณสมบัติของการดูดกลืนเชิงแสงที่สังเคราะห์ตัวอย่าง ประเมินผล bipo4 บริสุทธิ์บริสุทธิ์ ag3po4 และผสมกับบี / AG อัตราส่วน 4 : 3 และมีกำหนดจะแสดงในรูปที่ 4คอมโพสิตมีการดูดกลืนแสงที่มองเห็นกว้างในภูมิภาคด้วยการดูดซับขอบประมาณ 530 nm แต่คอมโพสิตมีบลูชิฟต์ที่อ่อนแอเมื่อเทียบกับการดูดซึมขอบ ag3po4 ( เกี่ยวกับ
550 nm ) ที่แสดงให้เห็นว่าคอมมีความสามารถในการย่อยสลายศักยภาพ
รีสารปนเปื้อนอินทรีย์ ภายใต้แสงรังสี .ช่องว่างแถบพลังงานของ SEMICON - ductor สามารถประมาณได้โดยต่อไปนี้สูตร [ 18 ] :
α H ν¼เป็นð H νเช่นÞ M ð 1 Þ

ที่α , H และνมีการดูดซึม coef จึง cient ค่าคงที่ของพลังค์ , และความถี่แสง ตามลำดับ เป็นค่าคงที่ เช่นเป็นวงดนตรีช่องว่างพลังงานของเซมิคอนดักเตอร์และขึ้นอยู่กับชนิดของการเปลี่ยนแปลง : m ¼ 0.5 วงดนตรีโดยตรงต่อและ M ¼ 2 สำหรับวงดนตรีทางอ้อมผ่าน [ 22 ] สำหรับ bipo4 ag3po4 และ ค่าของ m 2 [ 12 ] และ 0.5 [ 21,23 ] ตามลำดับ ดังนั้น เช่นของ bipo4 ถูกกำหนดจาก


ขนาด ( α H ν ) 0.5 เมื่อเทียบกับพลังงาน ( H ν ) และได้มาเป็น
3.85 EV ตามลําดับ เช่น ของ ag3po4 ถูกพบว่าเป็นระบบรถไฟฟ้าตามแผน ( α H ν ) 2 เมื่อเทียบกับพลังงาน ( H ν ) ( ดังแสดงในรูปที่ 4 ใส่ของ )
นอกจากนี้ผ่านวงขอบ ( ECB ) และขอบ 2 วง ( evb ) และตำแหน่งของ bipo4 ag3po4 ประมาณได้จากแนวคิดของ electronegativity . การ conduc - ขอบ , วงดนตรีของสารกึ่งตัวนำที่จุดของศูนย์บริการ phzpc ) สามารถตามหลักวิชาทำนายจากสูตร
ECB ¼ x EC 0:5eg ð 2 Þ

โดยที่ x คือ อิเล็กโทรเนกาติวิตีสัมบูรณ์ของสารกึ่งตัวนำและ EC เป็นพลังงานของอิเล็กตรอนอิสระบนไฮโดรเจนขนาด ( ประมาณ 4.5 eV ) นอกจากนี้ evb สามารถกำหนดโดย evb ¼ ECB þเช่นค่าของ X และ ag3po4 bipo4 คือ
ใหม่ [ 24 ] และ 6.85 ตามลำดับ ตามค่าของเช่นประมาณการข้างต้นและสูตรที่คำนวณได้ evb ของ ECB และ ag3po4 เป็น EV และ 2.66 , รถไฟฟ้าและ ผู้ bipo4 เป็น EV , EV และ 0.43 ตามลำดับ ระดับที่ 2 สำหรับ ag3po4 วงขอบที่มีศักยภาพ ( 2.66 EV ) เป็นบวกน้อยกว่า