This ionization takes the form of a

This ionization takes the form of a luminescent cloud located
between the two electrodes, much like a neon tube. An electric current is
established between the two electrodes since part of the gas is now a
conductor. The positive ions are attracted to the negatively biased target
and the faster electrons are attracted to the anode. The positive ions
impinge on the target and, like the cue ball hitting a racked set of billiard
balls, dislodges atoms from the target. These atoms migrate toward the
substrate holder gradually coating the substrates.
As a result of the mechanical nature of sputtering, refractory substances
such as Ta, W, Mo and TiC can just as easily be sputtered as those with
lower melting points. Alloys are sputtered with a composition often
equal to that of the target material. NiCr films are readily deposited with
predictable stoichiometry, in contrast to evaporation methods where the
chromium first sublimes forming Cr-rich layers followed by Ni-rich
layers. To overcome this problem, dielectric materials may be sputtered
using an RF technique, discussed in 7.1.2.2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ionization นี้ใช้รูปแบบของก้อนเมฆ luminescent อยู่ระหว่างหุงต 2 มากเช่นหลอดนีออน ปัจจุบันการไฟฟ้าได้ก่อตั้งขึ้นระหว่างหุงตสองเนื่องจากเป็นส่วนหนึ่งของก๊าซนำ กันจะดึงดูดเป้าหมายส่ง biasedและอิเล็กตรอนเร็วจะดึงดูดกับขั้วบวก ประจุบวกimpinge บนเป้าหมาย และ เช่นสัญลักษณ์ลูกตีแบบ racked ตั้งของบิลเลียดลูก dislodges อะตอมจากเป้าหมาย อะตอมเหล่านี้ย้ายไปใส่พื้นผิวการเคลือบพื้นผิวค่อย ๆจากธรรมชาติของสารพ่น refractory กลเช่นตา Mo, W และรับผลิตกระป๋องสามารถเพียงได้อย่างง่ายดายถูก sputtered เป็นผู้ที่มีจุดหลอมเหลวต่ำกว่า โลหะผสมมี sputtered กับองค์ประกอบที่มักจะเท่ากับที่วัสดุที่เป้าหมาย พร้อมฝาก NiCr ฟิล์มด้วยstoichiometry ได้ ตรงข้ามวิธีการระเหยซึ่งจะโครเมียม sublimes แรกขึ้นตาม ด้วย Ni-ริชชั้นรวย Crชั้น เพื่อเอาชนะปัญหานี้ วัสดุที่เป็นฉนวนอาจ sputteredใช้เทคนิคการ RF กล่าวใน 7.1.2.2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอออนไนซ์นี้ใช้รูปแบบของเมฆเรืองแสงที่ตั้งอยู่ระหว่างสองขั้วเหมือนหลอดนีออน กระแสไฟฟ้าที่จัดตั้งขึ้นระหว่างสองขั้วไฟฟ้าตั้งแต่ส่วนหนึ่งของก๊าซในขณะนี้เป็นตัวนำ ประจุบวกจะดึงดูดให้เป้าหมายลำเอียงในเชิงลบและอิเล็กตรอนได้เร็วขึ้นจะดึงดูดให้ขั้วบวก ประจุบวกกระทบกับเป้าหมายและเช่นเดียวกับลูกคิวตีชุด racked ของบิลเลียดลูกdislodges อะตอมจากเป้าหมาย อะตอมเหล่านี้ย้ายไปยังผู้ถือค่อยๆพื้นผิวเคลือบพื้นผิว. อันเป็นผลมาจากลักษณะทางกลของสปัตเตอร์, สารทนไฟเช่นตา, W, Mo และ TiC สามารถได้อย่างง่ายดายเพียง sputtered จะเป็นผู้ที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ โลหะผสม sputtered กับองค์ประกอบมักจะเท่ากับว่าของวัสดุเป้าหมาย ภาพยนตร์ NiCr จะฝากพร้อมกับปริมาณสารสัมพันธ์ที่คาดการณ์ในทางตรงกันข้ามกับวิธีการระเหยที่โครเมียมระเหิดแรกการขึ้นรูปชั้นCr-ที่อุดมไปด้วยตามด้วย Ni-ที่อุดมไปด้วยชั้น ที่จะเอาชนะปัญหานี้วัสดุที่เป็นฉนวนอาจจะ sputtered ใช้เทคนิค RF ที่กล่าวถึงใน 7.1.2.2